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J-GLOBAL ID：201702282142035213   整理番号：17A1125179

Raman分光法のためのパルスレーザ蒸着と改良された化学的増強による窒素ドープグラフェンの作製【Powered by NICT】

Fabrication of nitrogen-doped graphenes by pulsed laser deposition and improved chemical enhancement for Raman spectroscopy

著者 (6件)： Ren Pinyun (School of Physics and Electronic Engineering, Sichuan University of Science and Engineering, Zigong 643000, China) ,  Pu Enqiang (School of Physics and Electronic Engineering, Sichuan University of Science and Engineering, Zigong 643000, China) ,  Liu Debin (School of Physics and Electronic Engineering, Sichuan University of Science and Engineering, Zigong 643000, China) ,  Wang Yonghua (School of Physics and Electronic Engineering, Sichuan University of Science and Engineering, Zigong 643000, China) ,  Xiang Bichun (School of Physics and Electronic Engineering, Sichuan University of Science and Engineering, Zigong 643000, China) ,  Ren Xianpei (School of Physics and Electronic Engineering, Sichuan University of Science and Engineering, Zigong 643000, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 204  ページ： 65-68  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らは窒素の存在下で紫外パルスレーザ蒸着(PLD)によるNドープグラフェン(NG)薄膜のその場成長を報告した。この方法に基づいて,窒素ドーピングの濃度はPLDプロセス中の窒素ガス圧により容易に制御できた。XPSの結果は,窒素原子は,グラフェン格子中にドープすることに成功したことを確認した。さらに,純粋なグラフェン(PG)と比較して,NGは,吸収されたローダミン6G(R6G)分子のRamanスペクトルのための改良された化学的増強を示した。相対増強因子は,グラフェン中の窒素含有量により変化し,最大値は約2.5であった。結果は,NGはその優れた増強Raman散乱性能のために化学的及び生物学的検出への応用のための有望な材料であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  Ramanスペクトル ,  *Raman分光法 ,  *窒素 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  Raman散乱 ,  *ドーピング ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 窒素含有量 ,  窒素原子 ,  ガス圧 ,  *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜 ,  Raman ,  グラフェン ,  パルスレーザ蒸着 ,  化学機構

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Raman分光法 ,  パルスレーザ蒸着 ,  化学 ,  増強 ,  窒素ドープ ,  グラフェン ,  作製