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J-GLOBAL ID：201702282187996226   整理番号：17A0274498

再結合特性の特性化とドープしたシリコンナノ粒子インクとスピンオンドーパントからレーザ処理した局所接触の接触抵抗【Powered by NICT】

Characterization of Recombination Properties and Contact Resistivity of Laser-Processed Localized Contacts From Doped Silicon Nanoparticle Ink and Spin-On Dopants

著者 (4件)： Ernst Marco (Centre for Sustainable Energy Systems, Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Fell Andreas (Centre for Sustainable Energy Systems, Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Franklin Evan (Centre for Sustainable Energy Systems, Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Weber Klaus J. (Centre for Sustainable Energy Systems, Australian National University, Canberra, ACT, Australia)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 2  ページ： 471-478  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 裏面くし形接触(IBC)太陽電池のような,非常に高効率太陽電池概念の市場占有率の増加は,典型的には,複雑で高価な処理配列に起因する高いコストにより制限される。局在レーザでドーピングされた接触の実現は,このような太陽電池概念の高効率可能性を維持し,また従来の高温処理に曝露された場合には,他の方法では分解に対して脆弱である可能性がある安価,改質されたシリコン金属を使用する可能性を提供しつつ製造コストを低減するための有望な経路である。本研究では,新しい試験構造を導入し,接触特性,すなわち,再結合パラメータJ_0,_Cを決定する1×10~~4Ωcm~2の値まで300fA cm~~2と接触抵抗ρ_cの値まで正確に数値シミュレーションを行った。ほう素とりんのスピン-オンドーパントとりんをドープしたシリコンナノ粒子インクを用いて作製した30×30μmサイズのレーザでドーピングされた局所接触の性能を解析した。数値による実証として本研究で特性化レーザでドーピングされた接触は23.7%効率のIBC太陽電池を可能にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *キャラクタリゼーション ,  *レーザ ,  ホウ素 ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  *接触抵抗 ,  リン ,  *インク ,  製造原価 ,  櫛形 ,  *再結合
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  高効率 ,  *シリコンナノ粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 特性化 ,  ドープ ,  シリコンナノ粒子 ,  インク ,  レーザ ,  接触抵抗