文献
J-GLOBAL ID:201702282209701590   整理番号:17A1121825

高性能有機トランジスタのための有機半導体薄膜における電気的に絶縁装置の効果的利用【Powered by NICT】

Effective Use of Electrically Insulating Units in Organic Semiconductor Thin Films for High-Performance Organic Transistors
著者 (4件):
資料名:
巻:号:ページ: null  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2482A  ISSN: 2199-160X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
共役小分子またはポリマか,有機半導体(OSC)の電気的性質を電気的に絶縁単位(EIUs),非共役単位からなる有機部分を組み込むことによって調整することができた。EIUsは共役OSC分子へのそれに関連した総合的にまたは薄膜作製プロセス中のOSCと分離としてEIU分子でそれらを混合することにより薄膜に導入することができる。人工EIUsはOSC薄膜への種々の付加的機能を与えるとそれらの電気的性質を改善することができた。本レビュー論文では,有機電界効果トランジスタ(OFET)の活性層として使用した場合,OSC薄膜とその結果としての電気的性能に及ぼすEIUsの様々な効果の包括的な概観を提供した。側鎖,ブロック共重合体,および共役破断スペーサを用いた場合のような,EIUsを組み込んだの合成法と有機絶縁体との混合アプローチの幅広い範囲の研究を議論した。最後に,この分野における将来の研究のための簡単な要約と展望を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る