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J-GLOBAL ID：201702282287797154   整理番号：17A1728023

130nm SiGe BiCMOSによるオンチップアンテナを用いた30GHzインパルス放射器の合成アレイに基づく三次元レーダイメージング【Powered by NICT】

3-D Radar Imaging Based on a Synthetic Array of 30-GHz Impulse Radiators With On-Chip Antennas in 130-nm SiGe BiCMOS

著者 (2件)： Chen Peiyu (Department of Electrical and Computer Engineering, Rice University, Houston, TX, USA) ,  Babakhani Aydin (Department of Electrical and Computer Engineering, Rice University, Houston, TX, USA)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 65  号： 11  ページ： 4373-4384  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分解能三次元レーダイメージングのための30GHzインパルス放射器チップを報告した。本論文では,交差結合パルスVCOにおける非対称トポロジーは178fsに放射されるインパルスのタイミングジッタ,高度に効率的な空間結合を最小化するために導入した。空気上のコヒーレント結合を二種類の広く間隔インパルス放射体を用いて行った。60psの最短半値全幅パルス幅を記録した。種々の金属物体と誘電物体の三次元画像を,特別に設計した合成アレイイメージングシステムを用いて製造した。9mmの深さ分解能と10cmの範囲で8mmの横方向分解能を達成した。インパルス放射器は面積2.85mm~2と106mWの平均電力消費で130nm SiGe BiCMOSプロセス技術で実現した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *放射器 ,  高分解能 ,  分解能 ,  コヒーレンス ,  パルス幅 ,  *三次元レーダ ,  電力消費 ,  FWHM ,  非対称性 ,  *パルス ,  位相幾何学 ,  *画像処理
準シソーラス用語： 三次元画像 ,  タイミングジッタ ,  *SiGe BiCMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiGe ,  BiCMOS ,  オンチップアンテナ ,  インパルス ,  放射器 ,  アレイ ,  レーダイメージング