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J-GLOBAL ID：201702282334403676   整理番号：17A1343424

荷電遷移金属二カルコゲン化物における固有摩擦への振動の寄与【Powered by NICT】

Vibrational contributions to intrinsic friction in charged transition metal dichalcogenides

著者 (2件)： Cammarata Antonio (Department of Control Engineering, Czech Technical University in Prague, Technicka 2, 16627 Prague 6, Czech Republic. [e-mail]) ,  Polcar Tomas
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 32  ページ： 11488-11497  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)の固有摩擦への振動の寄与は異なる電荷量で研究した。電荷中性からのずれは,原子位置と電子分布,およびその結果としての相転移の複雑な再編成を生じることを見出した。電荷注入により,単位胞体積膨張が観察され,層面に直交する軸に沿った電荷蓄積に起因していた。このような蓄積は遷移金属のd_3z R軌道により説明される,P_t,e軌道分極により調節される。一方で後者は,自明でない電気振動結合による固有摩擦に関係したフォノンモードの周波数を決定した。結合共有原子価と原子対cophonicityはそのような結合を制御するためのノブとして利用,原子軌道,比電荷量での振動周波数を決定するによる微妙な電荷流を支配することができる。結果はTMD構造における固有摩擦に対する振動の寄与を微調整するために利用できる,ナノ電気機械システムの集合と操作を容易にするため,最終的に,ナノスケールトライボロジーを超えた応用のためのTMDベース素子における電子電荷分布を支配した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア注入 ,  *遷移金属 ,  電荷分布 ,  周波数 ,  *電荷 ,  分極 ,  相転移 ,  原子価 ,  電気振動 ,  再編成 ,  帯電
準シソーラス用語： 比電荷 ,  原子軌道 ,  単位格子 ,  電子分布 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 荷電 ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  固有 ,  摩擦