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J-GLOBAL ID：201702282349708426   整理番号：17A0943180

抵抗変化型不揮発性メモリとNANDフラッシュハイブリッド固体駆動装置のための適応バッファ電圧を持つ0.6V動作,16%高速セット/リセットReRAMブーストコンバータ【Powered by NICT】

0.6 V operation, 16 % faster set/reset ReRAM boost converter with adaptive buffer voltage for ReRAM and NAND flash hybrid solid-state drives

著者 (3件)： Tsurumi Kota (Chuo University, 1-13-27 Kasuga, Bunkyo-ku, Tokyo, 112-8551 Japan) ,  Tanaka Masahiro (Chuo University, 1-13-27 Kasuga, Bunkyo-ku, Tokyo, 112-8551 Japan) ,  Takeuchi Ken (Chuo University, 1-13-27 Kasuga, Bunkyo-ku, Tokyo, 112-8551 Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISQED  ページ： 81-86  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 適応バッファ電圧をもつ0.6Vブーストコンバータを3次元積層ソリッド・ランダムアクセスメモリ(ReRAM)とNANDフラッシュメモリハイブリッドソリッドステートドライブ(SSD)用に提案した。または2段電荷ポンプを用いた本提案のブーストコンバータをプログラムデータサイズに依存して,バッファ電圧を変化させることにより二つの利点がある。最初に,2段電荷ポンプ(提案した回路)で提案されたブーストコンバータは,チャージポンプ(1)[1]を有する従来のブーストコンバータと比較して97%ReRAMのSET/RESET時間を減少した。第二に,1チャージポンプ(通常の2)[2]をもつ従来のブーストコンバータと比較して,プログラムデータサイズは10部門(5kbyte)である時に,総合プログラム時間は提案した回路と16%減少した。ブースト変換器およびチャージポンプは,180nm標準CMOSプロセスを用いて作製した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  変換器 ,  *電圧 ,  三次元 ,  *高速度 ,  RAM【メモリ】
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  チャージポンプ回路 ,  *ブーストコンバータ ,  *ReRAM ,  駆動装置 ,  *NANDフラッシュ ,  *抵抗変化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： 抵抗変化 ,  不揮発性メモリ ,  NANDフラッシュ ,  固体 ,  駆動装置 ,  適応 ,  バッファ ,  リセット ,  ReRAM ,  ブーストコンバータ