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J-GLOBAL ID：201702282371533948   整理番号：17A1570405

ゲートシリコン電界エミッタアレイからの電子放出に及ぼす偏光の依存性【Powered by NICT】

Dependence of light polarization on electron emission from gated silicon field emitter arrays

著者 (6件)： Shimawaki Hidetaka (Graduate School of Engineering, Hachinohe Institute of Technology, Hachinohe, Japan) ,  Nagao Masayoshi (National Institute of Advanced Industrial Sci. & Technol., Tsukuba, Japan) ,  Neo Yoichiro (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan) ,  Mimura Hidenori (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan) ,  Wakaya Fujio (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Machikaneyama, Japan) ,  Takai Mikio (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Machikaneyama, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IVNC  ページ： 286-287  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザパルスによって発生したサブミクロンのゲート開口を備えたp型シリコン電界エミッタアレイの電界放出特性を報告した。偏光依存光電子放出が観測され,電流はレーザパワーへの線形依存性を示した。結果は筆者らのデバイスからの電流パルスは光電界放出過程で生成されることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *偏光 ,  光電子放出 ,  レーザパルス ,  電流 ,  開口 ,  レーザ出力 ,  *電子放出 ,  電界放出 ,  線形性
準シソーラス用語： パルス電流 ,  *電界エミッタアレイ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  シリコン ,  電界エミッタアレイ ,  電子放出 ,  偏光 ,  依存性