抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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3D全波アプローチおよび2D準静的アプローチによる均一なマイクロストリップ線路のSパラメータモデルとTDRインピーダンスを比較した。一般に,モデルの一貫性であるリターンロスとシミュレートしたTDRの例外はあるが大半のSパラメータ成分に良好であった。この矛盾の主な根本原因は3D電磁シミュレーションにおける緩いSパラメータ収束誤差であることが分かった。よりタイトな誤差設定を使用することができるが,これは高密度メッシュをもたらし,次に長く電磁シミュレーション時間,より大きな計算機メモリ要求,いくつかのシミュレーション安定性の問題であろう。,SパラメータまたはSPICE制御源フォーマットのいずれかで,理想的な変圧器モデルは構造のインピーダンスを変換し,3次元全波電磁シミュレーションで緊密な誤差設定なしでリターンロスまたは模擬TDRで小さな誤差を補正するために適用した。期待されるインピーダンス標的は非常に密なメッシュを使用しやすい2Dアプローチまたは緻密で高密度メッシュを用いた3Dアプローチから期待されるインピーダンス収束点のいずれかである。修正モデルは均一伝送線路の較正に基づいているとか類似のワイヤ寸法の均一な伝送線路または3D伝送線路に適用することができる。この補正はほとんど応用におけるシミュレートしたアイダイヤグラムに影響を及ぼさないが,パッケージシステム設計における正確なインピーダンス値を得るために役立つTDRシミュレーションのためのより正確なモデルを提供する。結合マイクロストリップ線路におけるゼロシングルエンド透過という興味ある現象もこの論文で研究した。結合マイクロストリップ構造の容易な署名特性として用いることができる。モデルにハードウェア相関を検証するために有用である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
