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J-GLOBAL ID：201702282459651430   整理番号：17A1913609

GaAs出力整合回路を用いたX帯30W級GaN-on-Si MMIC増幅器

A 30-W class X-band GaN-on-Si MMIC Power Amplifier with a GaAs MMIC Output Matching Circuit

著者 (6件)： 神岡純 (三菱電機 情報技総研) ,  河村由文 (三菱電機 情報技総研) ,  中原和彦 (三菱電機 鎌倉製作所) ,  岡崎拓行 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  半谷政毅 (三菱電機 情報技総研) ,  山中宏治 (三菱電機 情報技総研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 291(MW2017 111-141)  ページ： 57-60  発行年： 2017年11月02日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子的にビーム走査できることを特長とするアクティブフェーズドアレーアンテナ(APAA,Active Phased Array Antenna)は多数の送信機を備えているため,低コストな増幅器への要求が強い。これまでに,高出力なGaN増幅器がレーダや無線通信の分野で多く用いられてきた。GaN増幅器の多くはSiCにGaNをエピタキシャル成長したGaN-on-SiC基板を用いたMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)増幅器であるが,SiC基板が高価であるためにコストが高くなる傾向がある。そこで近年,安価で大口径なシリコン基板を用いたGaN-on-Si増幅器が注目され始めている。しかしながら,GaN-on-Si基板は誘電損失が大きく出力電力が低下するためX帯におけるGaN-on-Si増幅器の報告例は極めて少ない。そこで,本研究では誘電損失の小さいGaAs基板を出力整合回路に適用したX帯30W級GaN-on-Si高出力増幅器を提案し,試作および評価を行った。その結果,X帯において出力電力44.8dBm(30.4W),動作利得29.8dB,電力付加効率29.8%を得た。出力電力,動作利得,電力付加効率ともにX帯GaN-on-Si増幅器で世界最高を実現した。(著者抄録)

シソーラス用語： *フェイズドアレイ ,  ヒ化ガリウム ,  *整合器 ,  周波数帯 ,  *HEMT ,  *MMIC ,  *高周波増幅器 ,  電力付加効率 ,  *マイクロ波通信
準シソーラス用語： GaN HEMT ,  Xバンド ,  フェイズドアレイアンテナ ,  整合回路

分類 (3件)： マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W) ,  増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (10件)：

• E D. M. Fanning, L. C. Witkowski, C. Lee, D. C. Dumka, H. Q. Tserng, P. Saunier, W. Gaiewski, E. L. Piner, K. J. Linthicum and J. W. Johnson, “25 W X-band GaN on Si MMIC”, in Proc. GaAs Conf., 2005, p. 8b.
• S. Masuda, M. Yamada, Y. O. Kamada, T. Ohki, K. Makiyama, N. Okamoto, K. Imanishi, T. Kikkawa, and H. Shigematsu, “GaN singlechip transceiver frontend MMIC for X-band applications”, IEEE MTT-S Int. Dig., Jun. 2012, pp. 1-3.
• S. D'Angelo, A. Biondi, F. Scappaviva, D. Resca, V. A. Monaco, “A GaN MMIC chipset suitable for integration in future X-band spaceborne radar T/R module Frontends”, MIKON 2016, 21st International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications, 2016
• N. Kosaka, H. Uchida, H. Noto, K. Yamanaka, M. Nakayama, K. Kanaya, Y. Nogami, A. Inoue, Y. Hirano, “An S-band GaN on Si High Power Amplifier with 170W Output Power and 70% Drain Efficiency”, 2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2012.
• A.Barigelli, W. Ciccognani, S. Colangeli, P. Colantonio, M. Feudale, F. Giannini, R. Giofre, C. Lanzieri, E. Limiti, A. Nanni, A. Pantellini, P. Romanini, “Development of GaN based MMIC for next generation X-band space SAR T/R module”, Conf. 2012 EuMA, pp. 369-372

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  出力整合回路 ,  X帯 ,  GaN ,  Si ,  MMIC増幅器