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J-GLOBAL ID:201702282477983057   整理番号:17A1590035

MgSとMgSeバンドギャップのGW近似修正【JST・京大機械翻訳】

Band gap correction of MgS and MgSe in GW approximation
著者 (4件):
資料名:
巻: 34  号:ページ: 343-349  発行年: 2017年 
JST資料番号: C2079A  ISSN: 1000-0364  CODEN: YYFXEM  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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密度関数理論に基づく局所密度近似(DFT-LDA)法を用いて、岩石構造のMgSとMgSeの結晶構造とエネルギーバンド構造を研究した。安定構造の格子定数は既知の実験データと一致し、MgSとMgSeはいずれも間接バンドギャップ半導体であり、バンドギャップ値はそれぞれ2.74eVと1.70eVであることが分かった。LDAによって計算されたバンドギャップ値は以前の理論値と非常に近いが,局所密度近似は常にバンドギャップ値を過小評価する。そのため、準粒子GW(GはGreen関数、Wはクーロン相互作用)近似を用いてMgSとMgSeのバンドギャップ値を修正し、その結果はそれぞれ4.15eVと2.74 eV.GW近似の結果が適切な値であるべきである。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件):
分類 (1件):
分類
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半導体結晶の電子構造 
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