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J-GLOBAL ID：201702282635417538   整理番号：17A0101379

亜鉛ドープ酸化亜鉛半導体薄膜の調製とその性能研究【JST・京大機械翻訳】

Preparation and property of titanium-gallium co-doped zinc oxide semiconductor thin film

著者 (5件)： Zhong Zhiyou (College of Electronic Information Engineering,South-Central University for Nationalities, Hubei Key Laboratory of Intelligent Wireless Communications) ,  Lu Zhou (College of Electronic Information Engineering,South-Central University for Nationalities) ,  Long Lu (College of Electronic Information Engineering,South-Central University for Nationalities) ,  Gu Jinhua (Center of Experiment Teaching,South-Central University for Nationalities) ,  Long Hao (College of Electronic Information Engineering,South-Central University for Nationalities)
資料名： Huagong Xinxing Cailiao  (Huagong Xinxing Cailiao)
巻： 44  号： 8  ページ： 62-65  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2923A  ISSN： 1006-3536  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高周波マグネトロンスパッタリング技術を用いて,ガラス基板上にZNO/ZNO薄膜を調製し,XRD,XPS,4プローブおよび透過スペクトルによって特性評価し,薄膜の微細構造,結晶成長および光電特性に及ぼす基板温度の影響を研究した。結果は以下を示す。TGZO薄膜は高C軸優先配向成長特性を有し,その微細構造と光電特性は基板温度と密接に関連した。基板温度が340°Cである場合には。TGZO薄膜は,最大のテクスチャ係数(2.963),最大の結晶粒度(85.7NM),最小の微小歪(0.231),最も低い抵抗(1.87×10(-3)ΩCM),最も高い可視光透過率(84.8)と最大の品質因子(451.2Ω(-1)CM(-1))を示した。その結晶品質と光電特性は最良であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  *薄膜 ,  *半導体薄膜 ,  透過率 ,  基板温度 ,  X線回折 ,  *亜鉛 ,  結晶粒度 ,  優先配向
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  光電気 ,  透過スペクトル ,  ガラス基板 ,  RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： zinc oxide thin film ,  radio-frequency magnetron sputtering ,  mircostructure

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 亜鉛 ,  ドープ ,  酸化亜鉛 ,  半導体薄膜 ,  調製 ,  研究