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J-GLOBAL ID:201702282775318845   整理番号:17A0399628

化学気相蒸着によるスケーラブルで調整可能なわずかに酸化グラフェンの合成【Powered by NICT】

Synthesis of scalable and tunable slightly oxidized graphene via chemical vapor deposition
著者 (7件):
資料名:
巻: 490  ページ: 844-849  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0279A  ISSN: 0021-9797  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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半導性,光電子研究における活性材料としての炭素の大きなシートが失われ,還元グラフェン酸化物(rGO)は,良い候補となり得る。しかし,化学合成は,rGO(すなわち最大:20~30μm)の大きなシートだけでなく作製法の拘束による高品質rGOを生成できない。半導体rGOの大きなシートの合成のための新しい戦略が緊急に必要である。大面積わずかに酸化グラフェン(SOG)は化学蒸着(CVD)法により二酸化ケイ素(SiO_2)とシリコンの界面で作製した,ここに初めてである。炭素原子はSiO_2における拡散の時間SiO_2厚さの変化によって調整可能7~10のC/O比を可能にする酸素官能基(C=O,C OH)と結合し,調整可能な酸化を示した。さらに,SOGの電子構造と形態は化学的に成長させたrGOに類似していた。SOGの形成機構についても検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 
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