CoとInを同時ドープしたZnOの1/f雑音に及ぼす厚さの影響【Powered by NICT】

Slimi H.; Achahour A.; Leroy G.; Waldhoff N.; Duponchel B.; Barhoumi A.; Guermazi S.; Dewitte M.; Blary K.; Vandamme L.K.J.

文献

J-GLOBAL ID：201702282823282158 整理番号：17A1271145

CoとInを同時ドープしたZnOの1/f雑音に及ぼす厚さの影響【Powered by NICT】

Effects of thickness on 1/f noise of Co and In co-doped ZnO

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資料名：
巻： 2017 号： ICNF ページ： 1-4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

無線周波数(RF)マグネトロンスパッタリング法により室温でガラス基板上に成長させたCo_2%とIn_1%共ドープZnO膜(CIZO)の電気的性質に及ぼす厚さの影響を調べた。シート抵抗R_sh[Ω],抵抗率ρ[Ω・cm],及び1/f雑音は,厚さ50nmから450nmの関数として解析した。電気特性と1/fゆらぎ雑音は,四点プローブ法を用いて行った。接触問題を低減するために,我々は,内部電極の対を経由する定電流を適用し,外部電極の対を横切る電圧ゆらぎを観測した。100kHz以下の雑音を特性化し,古典的な1/fスペクトルを得た。Hoogeの経験的関係の妥当性を検証し,診断ツールとしての有用性を試験することを試みた。結果は雑音係数K[cm~2/03A9]=C_us/R_shは厚さ移動度と雑音パラメータα_Hは収縮厚さ縮小することを示しているtwhichと共に増加することを示した。もこれらの膜の構造と光学的性質を調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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酸化物薄膜

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