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J-GLOBAL ID：201702283041373637   整理番号：17A1651089

パルスレーザにより誘起されたシングルイベント効果のTCADシミュレーション【Powered by NICT】

TCAD simulation of single event effects induced by pulsed laser

著者 (4件)： Jie Li (Microelectronics Center, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Liyi Xiao (Microelectronics Center, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Chunhua Qi (Microelectronics Center, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Hongchen Li (Microelectronics Center, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PHM (Harbin)  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,レーザ放射モデルは,テクノロジーC AD(TCAD)ツールを構築した。またPN接合をパルスレーザと同様に重イオンにより誘起されたシングルイベント効果(SEE)をシミュレートするために選択した。SEEsに関連した過渡電流応答をシミュレートし,デバイス内の静電ポテンシャルとキャリア生成の分布をプロットした。シミュレーション結果は,パルスレーザを,パルスレーザと重イオン間の電子-正孔対を生成するための責任を持つ各種の異なるメカニズムにもかかわらずシングルイベント効果を効果的にシミュレートできることを実証した。TCADを用いたパルスレーザシミュレーションはレーザ実験のための重要なことが示唆された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： レーザビーム ,  *パルスレーザ ,  重イオン ,  *シミュレーション ,  キャリア生成 ,  電子正孔対 ,  PN接合 ,  *レーザ
準シソーラス用語： 静電ポテンシャル ,  過渡電流 ,  *TCAD ,  *SEE【事象】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザ ,  誘起 ,  シングルイベント効果 ,  TCAD ,  シミュレーション