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J-GLOBAL ID：201702283060501757   整理番号：17A0825950

10MHz,超高単離,小型チップ間電力伝送のための3D組織化シリコン埋め込み変圧器【Powered by NICT】

A 3D Assembled Silicon-Embedded Transformer for 10-MHz, Ultra-High-Isolation, Compact Chip-to-Chip Power Transfer

著者 (6件)： Wu Rongxiang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Liao Niteng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Fang Xiangming (Chengdu CoilEasy Technologies, Company Ltd, Chengdu, China) ,  Cai Jian (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Wang Qian (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Sin Johnny K. O. (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 3  ページ： 356-358  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,3D集合埋め込んだ変圧器(3DASET)は,低周波,超高単離,コンパクトな電力伝送応用のための提案し実証した。3DASETの一次及び二次コイルを一次側と二次側チップ内に埋め込まれた,それぞれ,大型コイル厚さと各コイルのための全域利用だけでなく,簡単な作製とコンパクトな統合を達成するために背面からのものである。二チップは逆にバック結合し,超高分離はチップ間の十分に強いと厚い絶縁層で達成できた。作製した2mm~23DASETは70%の妥当な効率で10MHzの低周波,システムのスイッチングと整流損失を低減するための必須で動作できる。4.5kV以上の高分離能も達成できた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  整流 ,  *単離 ,  *変圧器 ,  *送電 ,  LF【周波数】 ,  *三次元
準シソーラス用語： 絶縁層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単離 ,  電力伝送 ,  3D ,  組織化 ,  シリコン ,  埋め込み ,  変圧器