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J-GLOBAL ID：201702283079621342   整理番号：17A0759117

様々な基板上の2次元MoS_2の層依存性と光同調表面電位【Powered by NICT】

Layer Dependence and Light Tuning Surface Potential of 2D MoS₂ on Various Substrates

著者 (16件)： Li Feng (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Li Feng (Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Qi Junjie (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Qi Junjie (Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Xu Minxuan (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Xu Minxuan (Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Xiao Jiankun (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Xiao Jiankun (Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Xu Yuliang (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Xu Yuliang (Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Xiankun (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Xiankun (Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Liu Shuo (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Liu Shuo (Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Yue (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Yue (Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 14  ページ： ROMBUNNO.201603103  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の層を用いた化学蒸着(CVD)成長させた2次元MoS_2の表面電位を報告し,単分子層MoS_2の表面電位に及ぼす着生基質と光照射の影響を調べた。Si/SiO_2基板上にMoS_2の表面電位は1~4以上から層の数の増加と共に4.93から4.84eVに減少した。特に,単分子層MoS_2の表面電位は,Ag,グラフェン,Si/SiO_2,Au,およびPt基板上にその着生基質,4.55年,4.88年,4.93年,5.10年,および5.50eVであると決定されに依存した。光照射は単分子層MoS_2の表面電位を調整して,光強度の増加に導入し,Si/SiO_2基板上にMoS_2の表面電位は4.93から4.74eVに減少し,一方,Pt基板上に5.50から5.56eVに増加した。単層MoS_2/Ptヘテロ接合の垂直のI-V曲線は,光強度の増加と共に電流の減少を示し,MoS_2/Pt接合でのSchottky障壁高さは0.302から0.342eVに増加した。変化した表面電位は,表面,光誘起キャリア,電荷移動,及び局所電場にトラップされた電荷により説明できる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  基質 ,  電荷移動 ,  グラフェン ,  化学蒸着 ,  電流 ,  光照射 ,  *二次元 ,  単分子層 ,  ケイ素 ,  *同調 ,  銀 ,  *表面電位
準シソーラス用語： 光誘起 ,  光強度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 2D材料 ,  光照射 ,  MoS2 ,  表面電位

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 2次元 ,  層 ,  依存性 ,  同調 ,  表面電位