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J-GLOBAL ID：201702283106678711   整理番号：17A0214144

0.5V光電力管理,6.8GHz無線VCOおよび4層垂直ReRAMの最初の完全官能化モノリシック3D+IoTチップ【Powered by NICT】

First fully functionalized monolithic 3D+ IoT chip with 0.5 V light-electricity power management, 6.8 GHz wireless-communication VCO, and 4-layer vertical ReRAM

著者 (16件)： Hsueh Fu-Kuo (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Shen Chang-Hong (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Shieh Jia-Min (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Li Kai-Shin (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Chen Hsiu-Chih (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Huang Wen-Hsien (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Wang Hsing-Hsiang (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Yang Chih-Chao (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Hsieh Tung-Ying (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Lin Chang-Hsien (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Chen Bo-Yuan (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Shiao Yu-Shao (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Huang Guo-Wei (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Wong Oi-Ying (Biomedical Electronics Translational Research Center, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Chen Po-Hung (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Yeh Wen-Kuan (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 2.3.1-2.3.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて,著者らは,無線通信,光電力管理と垂直抵抗変化型不揮発性メモリ(VRRAM)モジュールを用いた低コスト薄片の異種材料を集積したサブ40nmエピ様Siモノリシックインターネット(IoT)3D~+ICを報告した。高電流駆動マルチチャネル3D~+UTB MOSFET(10チャネルP/N FETの600μA/282μA@VG=±1V)は6.8GHz高周波VCO回路0.5V低電圧電力管理回路を支持し,20nm層VRRAM(セット/リセット<1.2V/1~4.8V,3bits/cell)を駆動する低熱予算超CMP平坦化可視レーザ結晶化エピ様SiチャネルとCO_2遠赤外レーザアニーリング(CO_2~-FIR LA)活性化技術により作製した。このユニークなTSV自由モノリシック3D~+ICプロセスは3Dヘテロ集積における優位性を提供する著者らは,低コスト,小型フットプリント,完全に官能化された3D~+IoTチップにおけるこれらの回路を統合することに成功した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： てんかん ,  *三次元 ,  HF【周波数】 ,  試験片 ,  チャネル ,  無線伝送 ,  遠赤外線 ,  不揮発性メモリ ,  可視レーザ ,  *官能化 ,  レーザアニーリング ,  *電力管理
準シソーラス用語： 低電圧 ,  抵抗変化 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電力管理 ,  無線 ,  VCO ,  4層 ,  垂直 ,  ReRAM ,  官能化