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J-GLOBAL ID:201702283151793403   整理番号:17A1421018

基板上へのイオン流束を増強することによりマグネトロンスパッタTa_3N_5薄膜の結晶度の改善【Powered by NICT】

Improving the degree of crystallinity of magnetron-sputtered Ta3N5 thin films by augmenting the ion flux onto the substrate
著者 (9件):
資料名:
巻: 636  ページ: 48-53  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Ta_3N_5は種々の応用,特にとして太陽光水分解のための光活性材料の有望な候補である。は典型的に酸化タンタルはNH_3におけるアニールした2段プロセスで合成した。マグネトロンスパッタリングは今日まで殆ど研究であることを別途合成法であり,最初の試行は試料の結晶化度の小さい程度をもたらした。本論文では,Ta_3N_5の成長膜への負グローからのイオン種をガイドする通常のマグネトロン配置に対する軸磁場の添加について報告した。イオン支援成長は高い結晶度をもたらすことが示されている,すなわち非晶質相の量は通常スパッタ膜に典型的な,大きく抑制された。そうして作製された膜の表面は結晶粒の高密度集団によりナノ構造化した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  固体の機械的性質一般  ,  酸化物薄膜 

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