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J-GLOBAL ID：201702283184949488   整理番号：17A1027350

FinFETにおけるゲート酸化物短絡の包括的研究【Powered by NICT】

Comprehensive investigation of gate oxide short in FinFETs

著者 (3件)： Dibaj Roya (Dept. of Electronics, Carleton University, Ottawa, Canada) ,  Al-Khalili Dhamin (Dept. of Elec. & Comp. Eng., Royal Military College, Kingston, Canada) ,  Shams Maitham (Dept. of Electronics, Carleton University, Ottawa, Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VTS  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FinFETの三次元構造と還元された臨界寸法による複雑製造は信頼性のある装置試験を達成するために新たな課題を引き起こしている。ゲート酸化物短絡(GOS)は,3Dトランジスタにおけるその複雑性と回路の信頼性に及ぼすその重大な影響のために徹底的な研究を必要とする欠陥の一つである。本論文では,長方形フィンと台形フィン形状構造のゲート酸化物中のピンホールを導入し,トランジスタ欠陥特性に関する包括的研究を提示した。ピンホールはフィン高さとチャネル長さに沿って配置した種々のサイズの小さな立方体カットにより表現される。著者らの解析は,Synopsys社のSentaurus TCADツールを用いて行った。本論文で示した結果は,回路レベルシミュレーションのためのより現実的な解析的GOS欠陥モデルの開発につながる可能性がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フィン ,  トランジスタ ,  チャネル ,  信頼性 ,  三次元
準シソーラス用語： TCAD ,  六面体 ,  回路信頼性 ,  複雑性 ,  臨界寸法 ,  三次元構造 ,  *ゲート酸化物 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  対流・放射熱伝達  (PA02030K)

タイトルに関連する用語 (4件)： FinFET ,  ゲート酸化物 ,  短絡 ,  研究