文献

J-GLOBAL ID：201702283277361141   整理番号：17A0887470

非伝統的なシリコン貫通ビア技術を用いた異種集積マイクロシステム【Powered by NICT】

Heterogeneous Integrated Microsystems With Nontraditional Through-Silicon Via Technologies

著者 (3件)： Oh Hanju (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  May Gary S. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Bakir Muhannad S. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology  (IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 7  号： 4  ページ： 502-510  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0590B  ISSN： 2156-3950  CODEN： ITCPC8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,(TSV)技術による三種類の非伝統的なシリコン貫通孔(TSV)のの設計,製作と高周波キャラクタリゼーションを議論した。最初に,シリコンマイクロ流体ヒートシンク内のTSVの統合を提示した;TSVはピン-フィンヒートシンク内で作製し,脱イオン水充填シリコンピン-フィンヒートシンク内のTSVの周波数応答を実験的に解析した。第二に,このようなTSVの信号伝送を電気的に,単一信号TSVを囲む複数の地上TSVから成る同軸シールドTSVを実証した。基底TSVの数が増加すると,遮蔽が改善されることを実験的に示した。最後に,高周波数でのTSV損失と静電容量を低減するために提案した部分的空気分離技術。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 基底 ,  キャラクタリゼーション ,  脱イオン水 ,  静電容量 ,  *ケイ素 ,  周波数応答 ,  スルーホール ,  ヒートシンク ,  信号伝送 ,  HF【周波数】
準シソーラス用語： 空気分離 ,  マイクロ流体 ,  *シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 接続部品  (NA05050Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン貫通ビア ,  集積 ,  マイクロシステム