文献

J-GLOBAL ID：201702283314096161   整理番号：17A1445751

酸化ユウロピウム薄膜の抵抗スイッチング特性及び物理機構【Powered by NICT】

Resistive switching properties and physical mechanism of europium oxide thin films

著者 (3件)： Xie Wei (School of Physical Science and Technology, Lingnan Normal University, Zhanjiang, 524048, P.R. China) ,  Zou Changwei (School of Physical Science and Technology, Lingnan Normal University, Zhanjiang, 524048, P.R. China) ,  Bao Dinghua (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, P.R. China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201600874  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォーミングフリー抵抗スイッチング効果を,Eu_2O_3薄膜を化学溶液堆積法により作製したPt/Eu_2O_3/Ptデバイスで得られた。素子は優れたスイッチングパラメータをもつ単極性抵抗スイッチング,高抵抗比(10~7),安定抵抗値(0.2Vでのリードの),低リセット電圧,良好な耐久性,と長い保持時間(10~4sまで)などを示した。電流-電圧(I V)曲線の解析と抵抗-温度依存性に基づいて,支配的な伝導機構は,低抵抗状態と高抵抗状態でOhm挙動とSchottky放出であると結論できた。抵抗スイッチング挙動は,導電性フィラメントの形成と破壊,は堆積過程で発生する豊富な酸素空孔に関連して説明できた。抵抗スイッチングメモリー応用においてEu_2O_3薄膜の大きな可能性機会,これは顕著な特性を有している可能性を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  耐久性 ,  *酸化ユウロピウム ,  温度依存性 ,  保持時間 ,  *薄膜 ,  導電性 ,  電流
準シソーラス用語： 抵抗スイッチングメモリ ,  酸素空格子点 ,  導電性フィラメント ,  伝導機構 ,  単極性 ,  化学溶液堆積 ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 化学溶液堆積 ,  導電性機構 ,  Eu2O3薄膜 ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化ユウロピウム ,  薄膜 ,  スイッチング特性 ,  物理