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J-GLOBAL ID：201702283366529088   整理番号：17A0885695

接着リソグラフィーによるフレキシブル基板上の金属ナノギャップ作製に基づく半導体自由不揮発性抵抗スイッチングメモリデバイス【Powered by NICT】

Semiconductor-Free Nonvolatile Resistive Switching Memory Devices Based on Metal Nanogaps Fabricated on Flexible Substrates via Adhesion Lithography

著者 (5件)： Semple James (Department of Physics, Centre for Plasic Electronics, London, U.K) ,  Wyatt-Moon Gwenhivir (Department of Physics, Centre for Plasic Electronics, London, U.K) ,  Georgiadou Dimitra G. (Department of Physics, Centre for Plasic Electronics, London, U.K) ,  McLachlan Martyn A. (Department of Materials, Centre for Plastic Electronics, London, U.K) ,  Anthopoulos Thomas D. (Department of Physics, Centre for Plasic Electronics, London, U.K)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 1973-1980  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子メモリセルは,現代のコンピューティングデバイスにおいて非常に重要,大面積印刷エレクトロニクスのような新興技術部門を含むのである。近年大きな関心を受けている一つの技術は,主としてその低次元性と不揮発性に起因する抵抗性スイッチングである。,空アルミニウムナノギャップ電極に基づく抵抗スイッチングメモリ素子アレイの開発について述べた。接着リソグラフィー,低温大面積適合ナノギャップ作製技術を用いて,メモリ素子の高密度アレイ堅い境界と柔軟なプラスチック基板上で実証した。作製したままのデバイスは安定な耐久性,抵抗比>10~4と保持時間数か月の不揮発性メモリ動作を示した。電極微細構造の間欠的解析は外部電場の適用下でナノギャップへの電極からの金属の移動による制御された抵抗スイッチングことを明らかにした。代替型抵抗ランダムアクセスメモリの大面積エレクトロニクスのような新興分野と同様に過酷な環境のためのエレクトロニクス,例えば,空間,高/低温度,磁気影響,放射,振動,圧力での使用に有望である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  記憶素子 ,  *半導体 ,  微細構造 ,  低温 ,  *リソグラフィー ,  耐久性 ,  *スイッチング ,  *非揮発性 ,  電子技術 ,  *フレキシブル基板
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  大面積 ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  *ナノギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： リソグラフィー ,  フレキシブル基板 ,  ナノギャップ ,  作製 ,  不揮発性 ,  抵抗スイッチングメモリ