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J-GLOBAL ID：201702283415363805   整理番号：17A1241666

時間領域法を用いた大信号分散ミリ波マルチフィンガpHEMTモデル化【Powered by NICT】

Large-signal distributed millimeter-wave multifinger pHEMT modeling using time-domain technique

著者 (4件)： Aliakbari Hanieh (Electrical Engineering Department, Amirkabir University of Technology (Tehran Polytechnic), Tehran, Iran) ,  Abdipour Abdolali (Electrical Engineering Department, Amirkabir University of Technology (Tehran Polytechnic), Tehran, Iran) ,  Mirzavand Rashid (Intelligent Wireless Technology Lab., University of Alberta, Edmonton, Canada) ,  Avolio Gustavo (ESAT TELEMIC, K. U. Leuven, Leuven, Belgium)
資料名： International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering  (International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering)
巻： 27  号： 7  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0335A  ISSN： 1096-4290  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有限差分時間領域(FDTD)法は,マルチフィンガpHEMTの大信号モデリング,五つの非線形結合分布伝送線路と考えられるに使用されている。マルチフィンガpHEMTの正確な物理的レイアウトに基づいており,開発したモデルは高周波数で電極に沿った伝搬効果を正確に記述するが,それはまたI-VおよびQ-V特性の主要な非線形性を含んでいる。伝送線路理論を用いて,五重線トランジスタの差次的長さの割り当ては,適切な非線形等価集中回路モデルと非線形活性多導体伝送線路(NAMCTL)方程式を導いた。これら非線形連立微分方程式を,FDTD法を用いて数値的に解いた。提案したモデルは,100nm GaAs pHEMTに適用し,シミュレーション結果は,Keysight ADSシミュレータにおける従来のスライスモデルの結果と比較した。開発した過渡的非線形モデルをSパラメータ(1 150 GHz)の両方,特にミリ波周波数領域における大信号電力性能を正確に予測した。提案したモデルは,様々なタイプの高周波非線形集積回路の設計と解析に有用である。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  HF【周波数】 ,  周波数領域 ,  回路モデル ,  *EHF波 ,  非線形性 ,  有限差分時間領域法 ,  多線条線路 ,  *モデリング ,  アナログ集積回路 ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  *時間領域 ,  *PHEMT ,  *大信号 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 分散モデリング ,  FDTD法 ,  マルチフィンガGaAs pHEMT ,  非線形解析

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 時間領域法 ,  ミリ波 ,  PHEMT ,  モデル化