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J-GLOBAL ID：201702283465042479   整理番号：17A0965799

ナノスケールSOIとバルク無接合FinFETの性能比較のシミュレーション【Powered by NICT】

Simulation on the performance comparison for nanoscale SOI and bulk junctionless FinFETs

著者 (3件)： Cheng-Kuei Lee (Department of Microelectronics and Nanoelectronics Tsinghua University, Beijing 100062, China) ,  Jin-Yu Zhang (Department of Microelectronics and Nanoelectronics Tsinghua University, Beijing 100062, China) ,  Yan Wang (Department of Microelectronics and Nanoelectronics Tsinghua University, Beijing 100062, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート酸化物誘電体材料としての高k/materialsを用いて,シリコンオンインシュレータ(SOI)とバルクFinFET構造のための無接合(JL)FinFETデバイスの性能を評価するために三次元量子透過モデルを適応させた。二酸化シリコン(SiO_2),窒化ケイ素(Si_3N_4),二酸化ハフニウム(HfO_2)はシミュレートしたJL FinFETの誘電材料として使用した。,サブ閾値スイング,ドレイン誘起障壁低下とオン/オフ電流のような種々のデバイス特性を,異なるゲート長とフィン幅で調べた。シミュレートされた結果は,構成の下で20から10nmへ劇的に減少するゲート長をもつ劣化素子特性を明らかにした。JLバルクトランジスタは,基板のドーピング濃度を持つデバイスのしきい値電圧を調整することによって短チャネル下でのSOI構造よりも大きな性能を示した。トランジスタ性能を考慮して,ゲート長が14nm以下であるとしてHfO_2は許容できるゲート酸化物誘電体材料である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フィン ,  二酸化ケイ素 ,  *SOI構造 ,  誘電材料 ,  窒化ケイ素 ,  トランジスタ ,  酸化ハフニウム ,  三次元
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  ゲート長 ,  デバイス特性 ,  サブ閾値スイング ,  *性能比較 ,  *FinFET ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  SOI ,  バルク ,  FinFET ,  性能比較 ,  シミュレーション