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J-GLOBAL ID：201702283474053315   整理番号：17A1077358

単層Bismuthene-金属接触: 理論的研究

Monolayer Bismuthene-Metal Contacts: A Theoretical Study

著者 (15件)： GUO Ying (Shaanxi Univ. Technol., Hanzhong, CHN) ,  GUO Ying (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  PAN Feng (Shaanxi Univ. Technol., Hanzhong, CHN) ,  YE Meng (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  SUN Xiaotian (Luoyang Normal Univ., Luoyang, CHN) ,  WANG Yangyang (China Acad. of Space Technol., Beijing, CHN) ,  LI Jingzhen (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  ZHANG Xiuying (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  ZHANG Han (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  PAN Yuanyuan (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  SONG Zhigang (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  YANG Jinbo (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  YANG Jinbo (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  LU Jing (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  LU Jing (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 27  ページ： 23128-23140  発行年： 2017年07月12日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第1原理のエネルギーバンド計算および量子輸送シミュレーションを使用して,ビスマスと金属(Al,Ag,Au,Ir,Ti,Pt)間の界面特性のFET組成における最初の包括的な研究を提示した。bismutheneの六角座屈構造は,Au,Al,AgjおよびIr電極上で非常によく保存され,座屈高さにわずかな変化があった。対照的に,bismutheneの六角形座屈構造は,PtおよびTi電極上で歪んでいた。金属上のbismutheneは金属化され,垂直方向にはOhmic接触が起こった。2探針モデルに基づく量子輸送シミュレーションから,チャネルに明らかな金属誘起ギャップ状態が存在することを示し,これは複雑なFermi準位のピニングおよび横方向のOhmic接触の欠如につながった。得られたbismuthene-金属接触の界面特性は,ビスマス系の金属電極の選択に役立つことが期待される。

シソーラス用語： *ビスマス ,  単一層 ,  輸送現象 ,  シミュレーション ,  界面 ,  FET【トランジスタ】 ,  電極 ,  メタライゼーション ,  Fermi準位 ,  電極材料 ,  *金属 ,  エネルギーギャップ ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： エネルギーバンド ,  界面特性 ,  金属化 ,  金属電極 ,  接触界面 ,  単層 ,  量子輸送 ,  DFT【関数】

分類 (3件)： 金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単層 ,  理論 ,  研究