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J-GLOBAL ID：201702283481335588   整理番号：17A1767470

a-InGaZn薄膜トランジスタの容量電圧特性を利用したハンプ効果の研究

Investigation on the Hump Effect Utilizing the Capacitance-Voltage Characteristics of a-InGaZnO Thin Film Transistor

著者 (4件)： KIM Dong-Uk (Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR) ,  PARK Sang-Hee Ko (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  CHOE Heehwan (Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR) ,  JEON Jae-Hong (Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 11  ページ： 8545-8548  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲートバイアスストレス後の非晶質インジウムガリウム亜鉛酸化物(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)のトランスファ曲線にも,平行シフトと同様に,ハンプ効果が見られる。また,容量電圧曲線も応力後の初期形状から変形する。本研究では,同じゲート電圧軸に基づいて容量電圧曲線とトランスファ曲線の両方を解析し,応力に起因するハンプ生成の駆動機構を調べた。ハンプ効果の起源はゲート絶縁膜中の電子トラッピングと殆ど無関係であると思われた。ゲートバイアスストレス試験中にa-IGZO界面に追加の界面トラップが生成され,それによりハンプ効果の起源を説明できると推定した。

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  *容量電圧特性 ,  *効果 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  ゲート絶縁膜 ,  バイアス
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  ゲートバイアス ,  *ハンプ効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜トランジスタ ,  容量電圧特性 ,  ハンプ ,  研究