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J-GLOBAL ID:201702283693929705   整理番号:17A0660818

立体配座的に制御されたペルアルキル化Hexasilanesの電子遷移【Powered by NICT】

Electronic Transitions in Conformationally Controlled Peralkylated Hexasilanes
著者 (14件):
資料名:
巻: 17  号: 19  ページ: 3010-3022  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1265A  ISSN: 1439-4235  CODEN: CPCHFT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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オリゴシランの光物理的性質は,σ電子の非局在化により特異な立体配座依存性を示した。SiSiSiSi二面角はsyn(S),anti(A),または重なり(E)立体配座に制御され,ペルアルキル化n hexasilanesのSAS,AAS,AEA立体配座の励起状態は,UV吸収,磁気円偏光二色性(MCD)及び線形偏光二色性分光法を用いて調べた。総ての三つのスペクトルの同時Gaussフィッティングを遷移の最小セットと全三化合物中の波数,振動子強度,およびMCD B項を同定した。結果は,対称性適合クラスタ配置間相互作用法を用いて得られた結果と及びPBE0汎関数を用いた時間依存密度汎関数理論により得られたものとほとんど同じ良好に比較した。Si_6Me_14,遷移エネルギーの立体配座依存性と自由鎖ペルメチル化nヘキサシランの他の性質も二面角の関数として調べた,顕著な効果は,σσ*とσπ*特性の配置間の交差回避に起因していた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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分子構造と性質の実験的研究 
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