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J-GLOBAL ID：201702283752052923   整理番号：17A1035861

SELBOX構造をもつCMOS回路の静的電力消費のモデル化とシミュレーション【Powered by NICT】

Modeling and simulation of static power dissipation in CMOS with SELBOX structure

著者 (3件)： Younis Dana (Electrical Engineering department, American University of Sharjah, United Arab Emirates) ,  Madathumpadical Narayanan (Electrical Engineering department, American University of Sharjah, United Arab Emirates) ,  Al-Nashash Hasan (Electrical Engineering department, American University of Sharjah, United Arab Emirates)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICMSAO  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SELective Buried OXide MOSFET(SELBOX)構造は絶縁体(SOI)MOSFETに及ぼすけい素と結合した自己加熱とキンク効果課題を減少させた。SELBOX構造もバルクMOSFETよりも静的より少ない電力を消費する高動作速度を維持した。本論文では,静的電力消費の減少を記述するモデルを提示した。SELBOX,SOIとバルクMODFETデバイスを設計し,シミュレーションSilvaco TCADツールであった。シミュレーション結果も提示し,比較モデル結果と比較した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HEMT ,  絶縁体 ,  キンク ,  *シミュレーション ,  MOSFET ,  *電力 ,  *電力消費 ,  ケイ素 ,  *モデリング
準シソーラス用語： TCAD ,  動作速度 ,  自己加熱 ,  *CMOS集積回路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： CAD,CAM  (JE10000A) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS回路 ,  電力消費 ,  モデル化 ,  シミュレーション