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J-GLOBAL ID：201702283768870911   整理番号：17A1764173

アモルファスカーボンへの銅の熱活性化拡散

Thermally activated diffusion of copper into amorphous carbon

著者 (7件)： Appy David (The Ames Laboratory, Ames, Iowa 50011 and Department of Chemistry, Iowa State University, Ames, Iowa 50011) ,  Wallingford Mark (The Ames Laboratory, Ames, Iowa 50011) ,  Jing Dapeng (The Ames Laboratory, Ames, Iowa 50011 and Materials Analysis and Research Laboratory, Iowa State University, Ames, Iowa 50011) ,  Ott Ryan (The Ames Laboratory, Ames, Iowa 50011) ,  Tringides Michael C. (The Ames Laboratory, Ames, Iowa 50011 and Department of Physics and Astronomy, Iowa State University, Ames, Iowa 50011) ,  Richter Gunther (Max Planck Institute for Intelligent Systems, Heisenbergstr. 3, 70569 Stuttgart, Germany) ,  Thiel Patricia A. (The Ames Laboratory, Ames, Iowa 50011; Department of Chemistry, Iowa State University, Ames, Iowa 50011; and Department of Materials Science and Engineering, Iowa State University, Ames, Iowa 50011)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 6  ページ： 061401-061401-6  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Si上に担持された非晶質炭素上に300KでCuを堆積させ,次いで800Kに加熱したときに起こる熱活性化変化を,X線光電子分光法を用いて,特徴付けた。トンネル顕微鏡により,黒鉛の基底面上のCuのデータをピン止め欠陥と比較し,この温度範囲で粗大化が主なプロセスであることがわかった。粗大化は500-600Kで始まり,Cu光電子信号の中程度の減衰を引き起こした。非晶質炭素上のCuに対して800Kに加熱すると,Cu信号の強い減衰から,Cuが膜のバルク中に拡散することが示された。アモルファスカーボン膜のバルク中への拡散が,Cu 2p非弾性テールの形状の変化,および,Cu 2pとCu 3p系の間の減衰を比較することによって確認された。光電子信号の減衰の大きさは,アモルファス炭素膜全体にわたって均一に分布したCuに匹敵し,本実験の条件の下では,C-Si界面またはその下のCuとは適合しなかった。脱着は800Kの温度までは顕著でなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  *銅 ,  *熱拡散 ,  *X線光電子分光法 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  結晶粒粗大化 ,  波動関数
準シソーラス用語： *アモルファスカーボン ,  電子軌道

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (4件)： アモルファスカーボン ,  銅 ,  熱活性化 ,  拡散