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J-GLOBAL ID：201702283790745774   整理番号：17A0759268

MacEtchによるナノスケール最密充填シリコン貫通ビアのアスペクト比のスケーリング:キャリア生成と質量輸送の速度論【Powered by NICT】

Scaling the Aspect Ratio of Nanoscale Closely Packed Silicon Vias by MacEtch: Kinetics of Carrier Generation and Mass Transport

著者 (9件)： Kim Jeong Dong (Department of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Laboratory, Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, IL, 61801, USA) ,  Mohseni Parsian K. (Department of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Laboratory, Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, IL, 61801, USA) ,  Mohseni Parsian K. (Microsystems Engineering, Rochester Institute of Technology, Rochester, NY, 14623, USA) ,  Balasundaram Karthik (Department of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Laboratory, Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, IL, 61801, USA) ,  Ranganathan Srikanth (SanDisk, a Western Digital Brand, Milpitas, CA, 95035, USA) ,  Pachamuthu Jayavel (SanDisk, a Western Digital Brand, Milpitas, CA, 95035, USA) ,  Coleman James J. (Department of Electrical Engineering and Department of Materials Science, University of Texas at Dallas, Richardson, TX, 75080, USA) ,  Li Xiuling (Department of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Laboratory, Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, IL, 61801, USA) ,  Li Xiuling (International Institute for Carbon-Neutral Energy Research (I2CNER), Kyushu University, Fukuoka, 819-0395, Japan)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 12  ページ： ROMBUNNO.201605614  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属援用化学エッチング(MacEtch)は,超高アスペクト比半導体ナノワイヤアレイを生成するために異方性湿式エッチング法として大きな成功を収めている,金属メッシュパターンは触媒として働く。しかし,触媒として離散金属ディスクのパターンを必要とする,MacEtchを用いたアレイによる垂直を産生するしばしば下行が垂直経路から個々の触媒ディスクの迂回,特にサブミクロンスケールでのために挑戦した。,MacEtchによるアレイを介して,秩序化,垂直,及び高アスペクト比のシリコンの実現を報告し,直径サブ100nmまでのすべての方法を900からスケールした。金属触媒パターンとエッチング溶液組成の直径とピッチの系統的変化は,初めて,MacEtch,キャリア生成と質量輸送における二つの基本的な動力学機構の役割を明らかにしている物理的モデルの抽出を可能にする。記録アスペクト比を持つアレイによる秩序化サブミクロン直径のシリコンが生成し,これはシリコン貫通ビア技術,高密度記憶装置,フォトニック結晶膜,及び他の関連応用に直接影響することができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： フォトニック結晶 ,  円板 ,  *アスペクト比 ,  エッチング ,  *ケイ素 ,  ウェットエッチング ,  異方性 ,  *キャリア生成 ,  半導体 ,  *物質移動 ,  エッチング液
準シソーラス用語： ナノワイヤアレイ ,  高アスペクト比 ,  *シリコン貫通ビア ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エッチング ,  高アスペクト比 ,  MaCE ,  ,MacEtch ,  シリコン貫通電極

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノスケール ,  最密充填 ,  シリコン貫通ビア ,  スケーリング ,  キャリア生成 ,  質量輸送 ,  速度論