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J-GLOBAL ID：201702283791333501   整理番号：17A1013153

単一セル中におけるアンダポテンシャル電着されたHの表面限定酸化還元置換によるPd超薄膜の電気化学原子層堆積

Electrochemical Atomic Layer Deposition of Pd Ultrathin Films by Surface Limited Redox Replacement of Underpotentially Deposited H in a Single Cell

著者 (3件)： ACHARI Innocent (Binghamton Univ. SUNY, New York, USA) ,  AMBROZIK Stephen (Binghamton Univ. SUNY, New York, USA) ,  DIMITROV Nikolay (Binghamton Univ. SUNY, New York, USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 8  ページ： 4404-4411  発行年： 2017年03月02日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金基板上にアンダポテンシャル電着されたHを犠牲媒体として用いて,単一セル中の表面限定酸化還元置換法(SLRL)によって,Pd超薄膜の電気化学原子層堆積が実現された。20回までのSLRL繰り返し工程によって,疑似二次元成長による,平滑で均一なPd膜が形成され,SLRLが30回以上になると樹枝状結晶が成長する。Pd膜の堆積量と電流値との比較により,吸着水素と吸蔵水素の両方が,[PdCl₄]^2-と2:1の量論比でSLPL過程を担っていることが確認された。

シソーラス用語： *アンダポテンシャル電着 ,  *酸化還元反応 ,  *超薄膜 ,  *パラジウムめっき ,  *単原子層 ,  *電着 ,  *交換反応 ,  樹枝状結晶 ,  吸着 ,  水素吸蔵 ,  パラジウム錯体
準シソーラス用語： 水素吸着 ,  *水素置換 ,  *電気化学堆積

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： セル ,  アンダポテンシャル電着 ,  酸化還元 ,  置換 ,  Pd ,  超薄膜 ,  電気化学 ,  原子層堆積