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J-GLOBAL ID：201702283802964834   整理番号：17A0448396

透明導電性電極のためのグラフェン酸化物の還元における高性能Bi段階プロセス【Powered by NICT】

High-performance Bi-stage process in reduction of graphene oxide for transparent conductive electrodes

著者 (9件)： Alahbakhshi Masoud (Laser and Plasma Research Institute, Shahid Beheshti University, G.C., P.O. Box 1983963113, Tehran, Iran) ,  Fallahi Afsoon (Department of Polymer Engineering and Color Technology, Amirkabir University of Technology (Tehran Polytechnic), 424 Hafez Avenue, P.O. Box 15875-4413, Tehran, Iran) ,  Fallahi Afsoon (Biomaterials Innovation Research Center, Division of Biomedical Engineering, Department of Medicine, Brigham and Women’s Hospital, Harvard Medical School, Cambridge, MA 02139, USA) ,  Fallahi Afsoon (Wyss Institute for Biologically Inspired Engineering, Harvard University, Boston, MA 02115, USA) ,  Fallahi Afsoon (Department of Mechanical Engineering, University of Maine, Orono, ME 04469-5711, USA) ,  Mohajerani Ezeddin (Laser and Plasma Research Institute, Shahid Beheshti University, G.C., P.O. Box 1983963113, Tehran, Iran) ,  Fathollahi Mohammad-Reza (Laser and Plasma Research Institute, Shahid Beheshti University, G.C., P.O. Box 1983963113, Tehran, Iran) ,  Taromi Faramarz Afshar (Department of Polymer Engineering and Color Technology, Amirkabir University of Technology (Tehran Polytechnic), 424 Hafez Avenue, P.O. Box 15875-4413, Tehran, Iran) ,  Shahinpoor Mohsen (Department of Mechanical Engineering, University of Maine, Orono, ME 04469-5711, USA)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 64  ページ： 366-375  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高と真の透明導電性電極の作製(TCE)のためのグラフェン酸化物(GO)溶液の還元を開発するための新しい革新的なアプローチを提示した。複合材料を合成するだけでなく種々のオプトエレクトロニクスデバイスを作製する場合に実用的な応用を提供するグラフェンの優れた機械的および電子的性質のおかげで,本研究では,導電性還元グラフェン酸化物(r GO)薄膜は,均一に分散したGO溶液の逐次化学的や熱的還元プロセスにより調製した。r-GO薄膜の電導度と透明度は,真空熱アニーリングにより,還元剤としてヨウ化水素酸(HI)を用いて制御されている。調製したr-GOを,XRD,AFM,UV-vis及びRaman分光により評価した。A FM地形画像は4mg/mL溶液に対して2nm以下となった表面粗さほぼ~11nmを明らかにした。さらに,XRD分析とRamanスペクトルはrGO層の間の中間層間隔は劇的に減少した実証し,また電子結合はHI化学剤と700°Cの熱アニーリングを用いた連続的に後に改善した。続いて優れた及び良好な透明度が,許容可能な電気伝導率と適当な仕事関数を持つr-GO透明電極を,有機発光ダイオード(OLED)のアノードとして利用されてきた。最大輝度効率および最大出力効率は4.2cd/Aと0.83cd/m2に達した。r-GOアノードの正孔密度,シート抵抗,透明度及び表面形態を最適化することにより,素子効率は,著しく増加できると思われる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  *導電性 ,  シート抵抗 ,  X線回折 ,  電気伝導率 ,  仕事関数 ,  *グラフェン ,  Ramanスペクトル ,  透明度 ,  透明電極 ,  Raman分光法
準シソーラス用語： 表面形態 ,  熱アニーリング ,  熱還元 ,  *酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 還元グラフェン酸化物(r GO) ,  透明導電性電極 ,  化学的還元 ,  熱還元 ,  有機デバイス ,  オプトエレクトロニクス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 導電性 ,  グラフェン酸化物 ,  還元 ,  Bi ,  段階 ,  プロセス