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J-GLOBAL ID:201702283804015301   整理番号:17A1646605

AMPSを用いたInGaP/GaAs/SiGeタンデム太陽電池のシミュレーション【Powered by NICT】

Simulations of an InGaP/GaAs/SiGe tandem solar cell using AMPS
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: GECS  ページ: 1-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,リン化ガリウム(InGaP),ヒ化ガリウム(GaAs)とシリコンゲルマニウム(SiGe)電気特性インジウムベース3重接合太陽電池の数値シミュレーションは,AMPS1Dを用いて行った。スペクトル応答はAM1.5照明下でシミュレートした。本研究では,トップセルとして用いた単一InGaP太陽電池が,単一GaAsタンデム配置での底部セルとして使用中細胞と単一SiGe太陽電池を使用した。三重セル構造のいくつかのパラメータは,InGaP太陽電池と再結合速度の層の厚さの効果のような研究した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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太陽電池  ,  トランジスタ 

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