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J-GLOBAL ID：201702283826229512   整理番号：17A0661407

自己出力型Bioimplantableデバイスのためのナノ発電機を統合した抵抗スイッチングメモリ【Powered by NICT】

Resistive Switching Memory Integrated with Nanogenerator for Self-Powered Bioimplantable Devices

著者 (7件)： Kim Bo-Yun (Nano-Bio-Information-Technology, KU-KIST Graduate School of Converging Scienceand Technology, Korea University, 1-5 Ga Anam-Dong, Seongbuk-Gu, Seoul, 136-713, South Korea) ,  Lee Woong-Hee (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 1-5 Ga Anam-Dong, Seongbuk-Gu, Seoul, 136-701, South Korea) ,  Hwang Hyun-Gyu (Nano-Bio-Information-Technology, KU-KIST Graduate School of Converging Scienceand Technology, Korea University, 1-5 Ga Anam-Dong, Seongbuk-Gu, Seoul, 136-713, South Korea) ,  Kim Dong-Ha (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 1-5 Ga Anam-Dong, Seongbuk-Gu, Seoul, 136-701, South Korea) ,  Kim Jeong-Hun (Nano-Bio-Information-Technology, KU-KIST Graduate School of Converging Scienceand Technology, Korea University, 1-5 Ga Anam-Dong, Seongbuk-Gu, Seoul, 136-713, South Korea) ,  Lee Sang-Hoon (Department of Biomedical Engineering, College of Health Science, Korea University, Seoul, 136-703, South Korea) ,  Nahm Sahn (Nano-Bio-Information-Technology, KU-KIST Graduate School of Converging Scienceand Technology, Korea University, 1-5 Ga Anam-Dong, Seongbuk-Gu, Seoul, 136-713, South Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 29  ページ： 5211-5221  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧電ナノ発電機(NGs)を燃料とする抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)デバイスは,将来の移植可能なバイオメディカルデバイスへの応用について検討した。TiN/SiO_2/Siと柔軟なTiN/ポリイミド(TiN PI)基板上に300°Cで成長させた生体適合性(Na_0 5K_0)NbO_3(NKN)膜をReRAMとNGにそれぞれ使用した。これらNKN膜はサイズが5.0nmのNKNナノ結晶を含む非晶質相を有していた。NKN ReRAMデバイスは酸素空孔フィラメントの形成と破壊で説明できることを典型的なバイポーラスイッチング挙動を示した。R_LRSにR_HRSの大きな比率と高い信頼性のような良好な抵抗変化型不揮発性メモリ特性を持っている。フレキシブルTiN PI基板上に成長させたNKN膜は,50pm V~ 1の高い圧電歪定数を示した。NKN NGは,2.0Vの大きい開路出力電圧と40nAの短絡出力電流,NKN ReRAMデバイスを駆動するのに十分でであった。大きなオン/オフ比10~2の安定なスイッチング特性はNKN NGにより駆動されるNKN ReRAMから得た。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： フィラメント ,  ナノ結晶 ,  薄膜 ,  信頼性 ,  非晶質 ,  *圧電気 ,  不揮発性メモリ ,  ポリイミド ,  電流
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  酸素空格子点 ,  窒化チタン ,  ReRAM ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  *ナノ発電機 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 移植可能な生物医学的応用 ,  ナノ発電機 ,  NKN薄膜 ,  ReRAMs ,  自己出力システム

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己 ,  ナノ発電機 ,  統合 ,  抵抗スイッチングメモリ