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J-GLOBAL ID:201702283859571465   整理番号:17A0399676

ない触媒とAu/Pt触媒基板上に得られたβGa_2O_3ナノワイヤの成長と特性評価【Powered by NICT】

Growth and characterization of β-Ga2O3 nanowires obtained on not-catalyzed and Au/Pt catalyzed substrates
著者 (9件):
資料名:
巻: 457  ページ: 255-261  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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近年,低次元βGa_2O_3構造,ナノワイヤのような,ナノベルト,ナノロッドやナノシート上に報告され,それらの特異的な,時には優れた特性のためにされている大きな関心。が,これらの特性は,成長過程に強く影響される,特に金属成長触媒を使用した。本研究では,金属Ga源と制御された酸化の熱蒸発の単純な組合せを用いたβGa_2O_3ナノワイヤ/ナノベルトの合成の成功を報告した。同じ成長法は異なる種類の基板(シリコンとアルミナ)上にナノ構造を成長し,触媒なしと同様に基板上に堆積したAuまたはPtを用いて,ナノワイヤの核形成を促進するために。得られたナノ構造の形態,構造及び光学的性質を特性化し,比較した。基板と可能な成長機構に及ぼす種々の成長分布を強調したが,ルミネセンス強度の強い増加は,AuおよびPt触媒で成長させた試料で観測した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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