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J-GLOBAL ID：201702283890964633   整理番号：17A1250353

GaAs pHEMT技術による6~18GHz高出力増幅器の設計【Powered by NICT】

Design of 6-18-GHz High-Power Amplifier in GaAs pHEMT Technology

著者 (2件)： Meghdadi Masoud (Department of Electrical Engineering, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran) ,  Medi Ali (Department of Electrical Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, Iran)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 65  号： 7  ページ： 2353-2360  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,0.25μm AlGaAs-InGaAs pHEMT技術における広帯域6~18GHzモノリシックマイクロ波集積回路高出力増幅器(HPA)のための設計方法を提案する。設計は主に必要な低損失と広帯域インピーダンス変換ネットワークを提供するために受動回路の実現に焦点を当てた。2段階GaAs HPAは全帯域幅にわたりS_21>10dBの小信号利得をもつ,パルスモード動作では,11GHzで 39.6dBmの平均出力パワーと40.5dBmのピーク出力パワーを達成した。平均電力付加効率(PAE)は22%であり,11GHzで29%のピークPAEを持つ。HPAチップは5×3.6mm~2の面積を占めている。達成された出力パワーと0.51mm~2の対応するパワー密度は,広帯域GaAs HPAにおいて報告された最高値の一つである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒ化ガリウムアルミニウム ,  電力付加効率 ,  *ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  帯域幅 ,  広帯域 ,  ネットワーク ,  *電力増幅器 ,  小信号利得 ,  MMIC
準シソーラス用語： 電力密度 ,  受動回路 ,  インピーダンス変換 ,  設計法 ,  *PHEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  PHEMT ,  出力増幅器 ,  設計