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J-GLOBAL ID：201702283921596874   整理番号：17A0591834

官能化(H,Cl,OH)ゲルマニウムカーバイドシートの調節可能な電子および磁気特性

Tunable Electronic and Magnetic Properties of Functionalized (H,Cl,OH) Germanium Carbide Sheet

著者 (7件)： LI Song (Donghua Univ., Shanghai, CHN) ,  LU Aijiang (Donghua Univ., Shanghai, CHN) ,  XIE Ruikuan (Donghua Univ., Shanghai, CHN) ,  XING Huaizhong (Donghua Univ., Shanghai, CHN) ,  ZENG Yijie (Donghua Univ., Shanghai, CHN) ,  HUANG Yan (Shanghai Inst. Technical Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  CHEN Xiaoshuang (Shanghai Inst. Technical Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 6  ページ： 3927-3933  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文において,著者らは,第一原理計算を用いて,片面半水素化,半塩素化およびヒドロキシル化GeCシートの構造,電子および磁気特性を理論的に調べた。その結果は,水素化したGe原子(H@Ge)を有するGeCシートが,室温における強磁性(FM)半導体であること,水素化したC原子(H@C)を有するGeCシートが反強磁性(AFM)半導体であることを示した。また,H原子はGe原子に吸着することを好み,これは半水素化GeCシートがたいていFM配列に達することを意味する。加えて,GeCシートの水素原子を塩素原子およびヒドロキシル基と置換することを通じて,異なる置換濃度により,H@Ge半水素化GeCシートの電子および磁気特性に著しい影響を与えることができた。塩素置換濃度の増加に伴って,H@Ge半水素化GeCシートは半導体性からハーフメタル性へ展開し,一方,ヒドロキシル基置換濃度の増加に伴って,FM状態半導体からAFM半導体へ展開した。

シソーラス用語： *計算 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *炭化物 ,  ヒドロキシ化 ,  塩素化 ,  水素化 ,  *官能化 ,  *磁性半導体 ,  半導体薄膜 ,  反強磁性 ,  置換 ,  *半金属 ,  強磁性半導体
準シソーラス用語： *第一原理計算

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 官能化 ,  Cl ,  調節 ,  電子 ,  磁気特性