文献

J-GLOBAL ID：201702283954891788   整理番号：17A1810229

As₂・H₂・N₂に対するGaAs(100)表面安定性を利用したGaAs_1-xN_x化学ビームエピタキシーの第一原理モデル

Ab initio model for GaAs_1-x N_x chemical beam epitaxy using GaAs(100) surface stability over As₂, H₂, and N₂

著者 (3件)： VALENCIA Hubert (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KANGAWA Yoshihiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KAKIMOTO Koichi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 6  ページ： 060306.1-060306.3  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： As₂・H₂吸着とAs/N置換を伴うGaAs(100)表面に関する第一原理計算に基づいて,GaAs_1-xN_xの化学ビームエピタキシー(CBE)に対するモデルを,以前に構築し,As₂・H₂・N₂混合ガス条件でシミュレーションを行った。当該モデルを用いることによって,金属-有機物化学蒸着(MOCVD)成長挙動の温度・圧力依存性を予測できることは,以前に実証した。本論文では,従来モデルを僅かに修正すれば,CBE実験に適用できることを示す。本モデルを用いれば,N₂組込みのArrheniusレジームが変化する遷移温度を予測できる。加えて,異なる温度での成長期間中の表面安定性解析に基づいて,結果として生じるレジームの傾向を説明する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,  *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *窒化物 ,  *CBE成長 ,  温度依存性 ,  圧力効果 ,  計算 ,  第一原理
準シソーラス用語： *ヒ化窒化ガリウム ,  圧力依存性 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (19件)：

• M. Weyers, M. Sato, and H. Ando, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L853 (1992).
• M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1273 (1996).
• M. Kondow and F. Ishikawa, Adv. Opt. Technol. 2012, 754546 (2012).
• D. Wilt and M. Stan, Ind. Eng. Chem. Res. 51, 11931 (2012).
• F. Geisz and D. Friedman, Semicond. Sci. Technol. 17, 769 (2002).

タイトルに関連する用語 (7件)： H2 ,  N2 ,  GaAs ,  安定性 ,  化学ビームエピタキシー ,  第一原理 ,  モデル