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J-GLOBAL ID：201702284123321054   整理番号：17A1722603

偏光状態の動的かつ正確な制御を用いた室温でのCW VECSELにおけるスピン注入の実証【Powered by NICT】

Demonstration of spin injection in a CW VECSEL at RT with a dynamic and accurate control of its polarization state

著者 (6件)： Joly Alexandre (Thales Research and Technology, 1 av. Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau Cedex, France) ,  Baili Ghaya (Thales Research and Technology, 1 av. Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau Cedex, France) ,  Alouini Mehdi (Thales Research and Technology, 1 av. Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau Cedex, France) ,  George Jean-Marie (Unite ́ Mixte de Physique CNRS-Thales, 1 av. Augustin Fresnel, 91767Palaiseau Cedex, France) ,  Sagnes Isabelle (Laboratoire de Photonique et de Nanostructure, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France) ,  Dolfi Daniel (Thales Research and Technology, 1 av. Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau Cedex, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO/Europe-EQEC  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近のスピントロニクスの進歩のおかげで,新しい応用が出現,スピン符号化を用いた高速通信のようなべきである。例えば,スピン注入レーザ光源の偏光状態[1]を符号化することによりデータ伝送は,新しい変調フォーマットと広い周波数帯域幅を可能にした。1つだけの偏波を導波される半導体端面発光レーザと比較して,垂直共振器形面発光レーザ(VCSEL)スピンレーザを実現に適している。しかし,著者らは最近,外部共振器面発光レーザ(VECSEL)を用いて,そのような準等方レーザでも,スピン注入は貧弱なスピン移動効率[2]による残留線形異方性により阻害されることを示した。これらの残留異方性を直線偏光レーザ偏光固有状態を設定した。,スピンVECSELの偏光固有状態に及ぼすこれらの異方性の影響を理論的及び実験的に検討することを提案し,スピン注入のためのレーザを調製した。は最終的に線形複屈折と二色性を最小に減少される素子におけるスピン注入効果を明らかにした。元レーザ構造は相γ_linの線形異方性と利得ΔG_linの直線二色性を動的に制御するために提案したレーザ偏光状態(図1,a)を制御した。著者らが開発したレーザは室温(RT)で1.5mmで発光する1/4VCSEL構造を含み,Ecole Polytechnique Feの’ラ音deローザンヌ[3]によって提供された。980nmの連続波(CW)単一モードレーザダイオードで光学的にポンプする。500mm PLZT電気光学セラミックは,その線形複屈折を制御するために共振器に添加される[4]共振器の直線偏光二色性の単一周波数振動と最小化の両方を確保するために100mm YAGエタロンも挿入した。実験的には,線形複屈折を調整からの高低い値に場合,VECSEL偏光楕円率は4~23°(Fig.1,b,赤色円)から増加した。ベクトルモデル,三つのパラメータ(γ_lin,ΔG_linと利得ΔG_linの円偏光二色性)を考慮し,これらの結果を合せることによって,著者らはΔG_lin=5.10~ 4とΔG_lin=2.10~ 4(Fig.1,b,青色線)の値を抽出することができる。スピン注入の影響を明らかにするために,著者らは,線形分極(非偏極電子)と円偏光(50%スピン分極電子)(Fig.1,c)励起の間のレーザ偏光固有状態変化を測定した。線形ポンプ偏光と比較して,スピンアップを注入するとスピンダウン(右手系円ポンプ偏光σ~+)は利得媒質と20°の減少に注入された場合,楕円率22°の増加が観察され(左手系円偏光ポンプ偏光σ~ )。VECSELは光学的にスピンアップ及びスピンダウンで噴射されるときに,図1,c)の挿入はレーザ偏光固有状態のスイッチを示した。約8%のしきい値の低減も得られ,予想されたように,witchスピン注入。結論として,室温で光学的にポンプしたVECSEL運転におけるスピン注入はレーザ残留線形異方性の動的制御を用いて実証した。は左手系円偏光,すなわち, 45°から45°までのVECSEL楕円率のスイッチ権からVECSEL偏光スイッチを得るためにスピン注入効率の改善に取り組んでいる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 円偏光 ,  共振器 ,  線形性 ,  複屈折 ,  スピン分極 ,  符号化 ,  異方性 ,  *垂直共振器形面発光レーザ ,  周波数帯 ,  励起 ,  直線偏光 ,  セラミック ,  利得 ,  半導体
準シソーラス用語： *スピン注入 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 偏光 ,  室温 ,  CW ,  VECSEL ,  スピン注入 ,  実証