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J-GLOBAL ID：201702284139805323   整理番号：17A1720977

Tb-Fe Co/MgO/Gd-Fe MTJ素子における電圧制御磁気異方性【Powered by NICT】

Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy in Tb-Fe-Co/MgO/Gd-Fe MTJ Devices
著者 (9件)：
Funabashi Nobuhiko

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(Science & Technology Research Laboratories, Japan Broadcasting Corporation, Tokyo, Japan)

Science & Technology Research Laboratories, Japan Broadcasting Corporation, Tokyo, Japan について

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Kinjo Hidekazu

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(Science & Technology Research Laboratories, Japan Broadcasting Corporation, Tokyo, Japan)

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Ueno Takayuki

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(Graduate School of Engineering, Tokyo Denki University, Tokyo, Japan)

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Aso Shintaro

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(Science & Technology Research Laboratories, Japan Broadcasting Corporation, Tokyo, Japan)

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Kato Daisuke

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(Science & Technology Research Laboratories, Japan Broadcasting Corporation, Tokyo, Japan)

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Aoshima Kenichi

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(Science & Technology Research Laboratories, Japan Broadcasting Corporation, Tokyo, Japan)

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Kuga Kiyoshi

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(Science & Technology Research Laboratories, Japan Broadcasting Corporation, Tokyo, Japan)

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Motohashi Mitsuya

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(Graduate School of Engineering, Tokyo Denki University, Tokyo, Japan)

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Machida Kenji

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(Science & Technology Research Laboratories, Japan Broadcasting Corporation, Tokyo, Japan)

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資料名：
IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)

IEEE Transactions on Magnetics について


巻： 53  号： 11  ページ： ROMBUNNO.4003304.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Tb-Fe-Co/MgO/Gd-Fe磁気トンネル接合における比較的厚いCo-Fe(X nm)/Gd(Y nm)/Gd-Fe(9 nm)自由層の電圧制御磁気異方性(VCMA)効果を調べた。自由層へ+1.4Vのdc電圧を印加することによりCo-Fe(0.3 nm)/Gd(0.2 nm)/Gd-Fe(9 nm)自由層における面内から面外への明確な磁気異方性を観測した。Co-Fe(0.3 nm)/Gd(0.1 nm)/Gd-Fe(9 nm)自由層の電場で評価した磁気異方性エネルギー変化は19fJ/Vmであり,これは報告された値と同等であった。厚い磁性材料のための成功したVCMAは薄い挿入Co-Fe層のVCMA変化によって強く影響されることを自由層の垂直磁気異方性設計に起因していた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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