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J-GLOBAL ID：201702284228799038   整理番号：17A1465701

フェロセニルnアルカンチオラート分子ダイオードの整流性能における奇-偶効果とその反転の機構【Powered by NICT】

Mechanisms of the odd-even effect and its reversal in rectifying performance of ferrocenyl-n-alkanethiolate molecular diodes

著者 (8件)： Wang Shan (Shandong Province Key Laboratory of Medical Physics and Image Processing Technology, School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan, 250014, China) ,  Wei Ming-Zhi (Shandong Province Key Laboratory of Medical Physics and Image Processing Technology, School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan, 250014, China) ,  Wei Ming-Zhi (School of Materials Science and Engineering, Qilu University of Technology, Jinan, 250353, China) ,  Hu Gui-Chao (Shandong Province Key Laboratory of Medical Physics and Image Processing Technology, School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan, 250014, China) ,  Hu Gui-Chao (Institute of Materials and Clean Energy, Shandong Normal University, Jinan, 250014, China) ,  Wang Chuan-Kui (Shandong Province Key Laboratory of Medical Physics and Image Processing Technology, School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan, 250014, China) ,  Zhang Guang-Ping (Shandong Province Key Laboratory of Medical Physics and Image Processing Technology, School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan, 250014, China) ,  Zhang Guang-Ping (Institute of Materials and Clean Energy, Shandong Normal University, Jinan, 250014, China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 49  ページ： 76-84  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論と組み合わせた非平衡Green関数法を用いて,ここでは,二種の金属(AuまたはAg)電極の間に挟まれたフェロセニル頭部基を持つ単一n-アルカンチオラート分子からなる分子ダイオードの整流性能はフェロセニルnアルカンチオラート骨格のメチレン単位の数nを調整することによって調整できることを示した。特に,フェロセニルnアルカンチオラートのメチレン単位数nを変化させた際には整流性能における奇数-偶数効果である。より興味深いことに,Au電極をAg電極で置換すると偶奇効果の反転が観測された。更なる分析は,外部バイアス電圧下で強く局在化フロンティア分子軌道の単調変化によって支配される整流ことを明らかにした。一方,整流比における奇数-偶数効果は奇数と偶数フェロセニルnアルカンチオラートのための電極のフロンティア分子軌道とFermiエネルギーとの間の異なるアラインメント,フェロセニル頭基と隣接電極間の奇偶依存結合強度に起因するによるものである。結合強度の奇偶依存性は整流比における奇数-偶数効果の反転に寄与する異なるAu SCとAgSC結合角によるAuおよびAg電極上に完全に逆転した。分子ダイオードの将来の合理的設計と性能制御に有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  メチレン基 ,  結合角 ,  Fermi準位 ,  奇数 ,  *ダイオード ,  分子軌道 ,  金 ,  偶数 ,  *整流 ,  銀 ,  付着強さ
準シソーラス用語： 整流比 ,  バイアス電圧 ,  非平衡Green関数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 分子整流 ,  偶奇効果 ,  非平衡Green関数法

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子 ,  ダイオード ,  整流 ,  反転