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J-GLOBAL ID：201702284239504129   整理番号：17A0598744

非線形イオン移動により促進した全固体電気二重層ゲーティングによる室温における金薄膜の伝導度調整

Conductivity Modulation of Gold Thin Film at Room Temperature via All-Solid-State Electric-Double-Layer Gating Accelerated by Nonlinear Ionic Transport

著者 (5件)： ASANO Tetsuya (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  KANEKO Yukihiro (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  OMOTE Atsushi (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  ADACHI Hideaki (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  FUJII Eiji (Panasonic Corp., Osaka, JPN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 6  ページ： 5056-5061  発行年： 2017年02月15日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電解質材料の不均一界面,電気二重層(EDL)がEDLにおける分極イオンや電子の高濃度のため,通常のバルク材料や電子デバイスでは実現できなかった材料性能を示すことが最近分かり,注目されている。本稿では,全固相EDLゲーティングによる金薄膜の伝導度向上について報告した。応答時間が室温で1秒以下の高速になる。デバイス構造は,金チャネル/La_2/3-xLi_3xTiO₃(LLT)電解質/SrRuO₃(SRO)バックゲート電極/SrTiO₃(STO)基板のバックゲート構造である。LLT固体電解質層はサブミクロン厚みで,エピタキシャル成長させた。リチウムイオン輸送面は高速イオン移動のために垂直配列した。金の伝導度はゲートバイアスと共に線形増加した。これはEDLゲーティングによるキャリア注入によるものである。

シソーラス用語： *イオン輸送 ,  *電気二重層 ,  制御 ,  ゲート回路 ,  金属薄膜 ,  金 ,  比率 ,  電気伝導率 ,  *固体電解質 ,  エピタクシー ,  キャリア注入 ,  リチウム化合物 ,  金属イオン
準シソーラス用語： イオン移動 ,  エピタキシャル成長 ,  ゲーティング ,  リチウムイオン ,  金薄膜 ,  伝導度

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (9件)： 非線形 ,  イオン移動 ,  促進 ,  全固体 ,  電気二重層 ,  ゲーティング ,  室温 ,  金薄膜 ,  伝導度