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J-GLOBAL ID：201702284274754838   整理番号：17A0795086

トンネルFETの性能に及ぼす界面粗さの影響のモデル化【Powered by NICT】

Modeling the Effect of Interface Roughness on the Performance of Tunnel FETs

著者 (2件)： Sant Saurabh (Integrated Systems Laboratory, ETH Zurich, Zurich, Switzerland) ,  Schenk Andreas (Integrated Systems Laboratory, ETH Zurich, Zurich, Switzerland)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 2  ページ： 258-261  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)のチャネルにおける三角形上のポテンシャルにおけるサブバンド形成は垂直なバンド バンドトンネリング(BTBT)の遅発性およびON電流の減少をもたらす。さらに,酸化物/半導体界面の粗さは,状態密度(DOS)尾部,すなわち,TFETチャネルで階段状2D DOSの平滑化を引き起こす。界面粗さの影響は,Indの摂動法を用いた半古典的モデル化した。TFET性能に及ぼすチャネル量子化と界面粗さの複合効果のために開発したモデルは,市販のデバイスシミュレータに実装した。主に垂直BTBTをもつTFETのシミュレーションは,2次元-3次元DOSマッチングに起因する理想的に,トンネルの鋭い開始は界面粗さにより平滑化されることを示した。これは振幅の増加と粗さの自己相関長の減少とともにトランジスタのサブ閾値スイングの劣化をもたらした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 平滑化 ,  *界面 ,  チャネル ,  トランジスタ ,  摂動法 ,  電流 ,  二次元 ,  *表面粗さ ,  量子化 ,  酸化物 ,  状態密度 ,  半導体 ,  *モデリング
準シソーラス用語： サブバンド ,  *界面粗さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： トンネルFET ,  界面粗さ ,  モデル化