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J-GLOBAL ID：201702284326052087   整理番号：17A0400958

配向(111)Fe_3O_4/(100)GaAs中の欠陥媒介される交換バイアス【Powered by NICT】

Defect mediated exchange bias in oriented (111) Fe₃O₄/(100) GaAs

著者 (2件)： Bhat Shwetha G. (Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Kumar P. S. Anil (Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 621  ページ： 26-31  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一磁性薄膜における交換バイアス(EB)は常に研究者に興味ある主題であった。しかし温度でFe_3O_4膜におけるEBの起源の探求,T<200Kはまだ考えである。はT<200Kでの交換バイアスの厚さ依存観測を報告し,(100)GaAs上に配向した(111)Fe_3O_4のより大きい厚さのためのEBを減少させることであった。非ゼロEBはFe_3O_4の55nmまで保持されることが観察された。ブロッキング温度の不変性とFe_3O_4の異なる厚さのためのEBが同じ指数関数的性質は,全ての膜で同様であるへのEBの起源を示唆した。自験例における温度による保磁力の変化はT<T_V,Fe_3O_4のVerwey転移でFe_3O_4膜における無秩序駆動された磁気相互作用を支持した。,交換バイアスが粒内フェリ磁性Fe_3O_4領域と反強磁性粒界領域の間に存在すると考えられている。Fe_3O_4のより大きい厚さのための低欠陥面積を有する還元島サイズは,単一磁性材料,Fe_3O_4の薄膜における欠陥媒介交換ピン止めの主張を支持している。さらに,Fe_3O_4膜における交換バイアスの訓練は,伝統的な強磁性-反強磁性層からなる膜と類似して行うことができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 強磁性 ,  磁性薄膜 ,  指数関数 ,  フェリ磁性 ,  *ヒ化ガリウム ,  薄膜 ,  保磁力 ,  パルスレーザ蒸着 ,  反強磁性 ,  ピン止め ,  Verwey転移 ,  結晶粒界
準シソーラス用語： 磁気相互作用 ,  ブロッキング温度 ,  *交換バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 交換バイアス ,  結晶粒界 ,  鉄(III(II))酸化物 ,  パルスレーザ蒸着 ,  エピタキシャル膜 ,  欠陥

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 配向 ,  GaAs ,  欠陥 ,  交換バイアス