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J-GLOBAL ID：201702284376229589   整理番号：17A1570856

デュアルゲート両極性CNTFET論理設計のための互換性を用いた過渡モデル【Powered by NICT】

Transient model with interchangeability for dual-gate ambipolar CNTFET logic design

著者 (2件)： Hu Xuan (Department of Electrical & Computer Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080) ,  Friedman Joseph S. (Department of Electrical & Computer Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NANOARCH  ページ： 61-66  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS技術はそれらの物理的限界に達しているので,先端デバイスと回路構造は,コンパクトな回路設計を可能にするために必要である。カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNTFET)はMOSFETへの説得力ある代替物であり,それらの両極性は二重ゲートCNTFETより高い表現力を介して素子数を低減するための経路を提供した。しかし,以前のモデルは,デバイスの極性のスイッチングとこれらの特性の完全な活用を可能にしなかった。本論文では,CNTFET極性は,nおよびp型の間をスイッチできる二重ゲート両極性CNTFET回路の過渡シミュレーションを可能にする最初のモデルを提示した。モデルは実験挙動に基づいており,交換可能なソースとドレインを提供することを示した。モデルの有用性は,CNTFET極性をスイッチする能力を利用するカスケードX OR論理ゲートと1ビット全加算器のシミュレーションと解析により実証した。モデルをCMOSの潜在的代替物に向けた両極性CNTFET論理回路のさらなる開発を可能にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 論理回路 ,  *論理設計 ,  互換性 ,  回路設計 ,  *極性 ,  CMOS ,  MOSFET
準シソーラス用語： 全加算器 ,  論理ゲート ,  過渡シミュレーション ,  回路構成 ,  CMOS技術 ,  *CNTFET ,  *両極性 ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： デュアルゲート ,  両極性 ,  CNTFET ,  論理設計 ,  互換性 ,  過渡モデル