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J-GLOBAL ID：201702284485440947   整理番号：17A1020075

ガラス基板上のAlドープZnO多結晶膜の集合組織と表面形態を調整する界面層【Powered by NICT】

Interface layer to tailor the texture and surface morphology of Al-doped ZnO polycrystalline films on glass substrates

著者 (5件)： Nomoto Junichi (Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami-shi, Kochi 782-8502, Japan) ,  Inaba Katsuhiko (X-Ray Research Laboratory, Rigaku Corporation, 3-9-12 Matsubara-cho, Akishima-shi, Tokyo 196-8666, Japan) ,  Kobayashi Shintaro (X-Ray Research Laboratory, Rigaku Corporation, 3-9-12 Matsubara-cho, Akishima-shi, Tokyo 196-8666, Japan) ,  Makino Hisao (Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami-shi, Kochi 782-8502, Japan) ,  Yamamoto Tetsuya (Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami-shi, Kochi 782-8502, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 645-649  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質ガラス基板上に(0001)優先方位を持つ集合組織を示す10nm厚の高周波マグネトロンスパッタしたアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)を,200~°Cの基板温度で続いて直流(DC)マグネトロンスパッタリングにより堆積した,490nm厚の多結晶AZO膜の配向を調整するための界面層として使用した。広角X線回折極点図解析は,得られた500nm厚のAZO膜は高度にc軸優先配向した集合組織を示した。これはDCマグネトロンスパッタされたAZO膜は,界面層のものに匹敵する配向に沿って成長することを示し,DCマグネトロンスパッタリングにより裸のガラス基板上に堆積した500nm厚のAZO膜はc面と他の配向面の混合配向を示した。表面形態も改善した原子間力顕微鏡によって明らかにされた界面層を適用することによって横方向の結晶粒度を保持していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 基板温度 ,  原子間力顕微鏡 ,  直流 ,  結晶粒度 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *多結晶 ,  極点図 ,  非晶質 ,  酸化亜鉛 ,  *集合組織 ,  優先配向
準シソーラス用語： DCマグネトロンスパッタリング ,  *界面層 ,  *表面形態 ,  *ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1成長モデル ,  A1表面構造 ,  A1X線回折 ,  A3バッファ層 ,  B1酸化物 ,  B2半導性II-VI材料

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ガラス基板 ,  AlドープZnO ,  多結晶 ,  集合組織 ,  表面形態 ,  界面層