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J-GLOBAL ID：201702284655278300   整理番号：17A1345305

AlGaN/GaNH EMTのスケーラブルな大信号多重高調波モデルとCバンド高電力増幅器MMICにおけるその応用【Powered by NICT】

A Scalable Large-Signal Multiharmonic Model of AlGaN/GaN HEMTs and Its Application in C-Band High Power Amplifier MMIC

著者 (12件)： Xu Yuehang (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wang Changsi (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Sun Huan (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wen Zhang (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wu Yunqiu (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Xu Ruimin (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Yu Xuming (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Ren Chunjiang (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Wang Zhensheng (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Zhang Bin (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Chen Tangsheng (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Gao Tao (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 65  号： 8  ページ： 2836-2846  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基本およびmultiharmonics両方のためのスケーラブル電熱大信号AlGaN/GaNH EMTモデルを修正Angelovモデルに基づいて提示した。電熱モデルの正確なスケーラビリティを得るために,簡単な経験式を幾何学的および消費電力依存性の非線形熱抵抗R_thを提案した。線形スケーリング則と唯一個の追加パラメータは,スケーラブルな大信号多重高調波モデルのためのドレイン-ソース電流(I_ds)モデルが必要である。提案したモデルはオンウエハ測定によって特性化異なるAlGaN/GaNH EMTにより検証した。提示したスケールアップ可能なモデルは,第三高調波までの直流I-V,パルスI-V,散乱(S)パラメータ,および大信号性能を良く予測できることを示した。さらに,更なる検証,Cバンド電力増幅器を設計した。増幅器は効率を高めるために第二高調波調整法を用いて実現した。測定結果は,GaN高出力増幅器(HPA)マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)は100μsパルス幅と10%のデューティサイクルをもつ28Vドレイン電圧及びパルス信号で測定した5~6GHzで25dBの関連利得で40%以上の電力付加効率と60W出力パワー(P_out)を示すことが分かった。チップの面積は3.2mm×5.3mmである(16.96 mm~2)。これらの結果は,提案したモデルは,高効率HPA(高電力増幅器)MMIC設計のために有用であろうことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデル ,  キャラクタリゼーション ,  電気加熱 ,  半導体集積回路 ,  パルス ,  線形性 ,  利得 ,  パルス幅 ,  *電力増幅器 ,  *窒化ガリウム ,  *高調波 ,  *増幅器 ,  *MMIC ,  マイクロ波
準シソーラス用語： *大信号 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (10件)： AlGaN ,  EMT ,  大信号 ,  多重 ,  高調波 ,  モデル ,  Cバンド ,  電力増幅器 ,  MMIC ,  応用