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J-GLOBAL ID：201702284670123037   整理番号：17A1445678

化学蒸着による単分子層WS_2の電子的性質の調節における欠陥の役割【Powered by NICT】

Role of Defects in Tuning the Electronic Properties of Monolayer WS₂ Grown by Chemical Vapor Deposition

著者 (8件)： Yang Jie (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands) ,  Gordiichuk Pavlo (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands) ,  Gordiichuk Pavlo (Department of Chemistry, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, Illinois 60208-3113, USA) ,  Zheliuk Oleksandr (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands) ,  Lu Jianming (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands) ,  Herrmann Andreas (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands) ,  Herrmann Andreas (Molecular Biophysics, Department of Biology, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Invalidenstr. 43, 10115 Berlin, Germany) ,  Ye Jianting (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 11  号： 10  ページ： ROMBUNNO.201700302  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元遷移金属二カルコゲン化物は既に膨大な研究の関心を集めている。品質に及ぼす電子的性質の依存性を理解するために,欠陥形態は高品質材料と機能素子の実現を合成するための重要である。ここでは,化学蒸着により成長させた単分子層二硫化タングステン(WS_2)における導電性原子間力顕微鏡(C AFM)による導電性変化のマッピングを実証した。電子特性は成長過程での単分子層WS_2中の空格子点の形成により強く影響される,それは光ルミネセンスにより検証した。欠陥のこの空間研究は,TMD単分子層のデバイス性能を向上させるための成長過程の最適化のための機会を提供する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  機能素子 ,  成長段階 ,  *化学蒸着 ,  光ルミネセンス ,  品質 ,  *単分子層 ,  最適化 ,  導電性
準シソーラス用語： 導電性原子間力顕微鏡 ,  二硫化タングステン ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 化学蒸着 ,  欠陥 ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  二次元材料 ,  仕事関数 ,  WS2

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学蒸着 ,  単分子層 ,  電子 ,  性質 ,  調節 ,  欠陥 ,  役割