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J-GLOBAL ID：201702284788685575   整理番号：17A1639036

SnS_2ナノリボンに対する歪効果:アームチェア端状態を持つジグザグ・エッジ高感度間接半導体のロバスト直接バンドギャップ【Powered by NICT】

Strain effect on SnS₂ nanoribbons: Robust direct bandgap of zigzag-edge and sensitive indirect semiconductor with armchair-edge states

著者 (21件)： Liu Yaming (Henan Institute of Science and Technology, Xinxiang 453003, China) ,  Liu Yaming (Xinxiang Medical University, Xinxiang 453003, China) ,  Liu Yaming (Henan Normal University, Xinxiang 453003, China) ,  Qiu Guizhen (Henan Institute of Science and Technology, Xinxiang 453003, China) ,  Qiu Guizhen (Xinxiang Medical University, Xinxiang 453003, China) ,  Qiu Guizhen (Henan Normal University, Xinxiang 453003, China) ,  Kong Dechuan (Henan Institute of Science and Technology, Xinxiang 453003, China) ,  Kong Dechuan (Xinxiang Medical University, Xinxiang 453003, China) ,  Kong Dechuan (Henan Normal University, Xinxiang 453003, China) ,  Hu Bo (Henan Institute of Science and Technology, Xinxiang 453003, China) ,  Hu Bo (Xinxiang Medical University, Xinxiang 453003, China) ,  Hu Bo (Henan Normal University, Xinxiang 453003, China) ,  Li Yongfeng (Henan Institute of Science and Technology, Xinxiang 453003, China) ,  Li Yongfeng (Xinxiang Medical University, Xinxiang 453003, China) ,  Li Yongfeng (Henan Normal University, Xinxiang 453003, China) ,  Su Jianxiu (Henan Institute of Science and Technology, Xinxiang 453003, China) ,  Su Jianxiu (Xinxiang Medical University, Xinxiang 453003, China) ,  Su Jianxiu (Henan Normal University, Xinxiang 453003, China) ,  Xia Congxin (Henan Institute of Science and Technology, Xinxiang 453003, China) ,  Xia Congxin (Xinxiang Medical University, Xinxiang 453003, China) ,  Xia Congxin (Henan Normal University, Xinxiang 453003, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 480-486  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 用いてジグザグおよびアームチェア型末端エッジ状態を持つSnS_2ナノリボンの電子特性と歪効果を研究するために第一原理計算。理論的結果は,両タイプのナノリボンのバンドギャップはリボン幅とともに単調に減少することを示した。間接バンドギャップ特性はANRsとして保存されるが,ZNRsは直接バンドギャップ半導体に変わる。一軸歪を適用することにより,13ANRのバンドギャップは,高感度であり,有意に修正できるが,8ZNRはX点で2.1eVロバスト直接バンドギャップを示した。著者らの計算は,ジグザグSnS_2ナノリボンをオプトエレクトロニクスと光触媒への有望な候補になり得ることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ロバスト性 ,  オプトエレクトロニクス ,  *折れ線 ,  *高感度 ,  光触媒 ,  *バンドギャップ ,  *半導体
準シソーラス用語： 一軸歪 ,  間接バンドギャップ ,  第一原理計算 ,  *直接バンドギャップ ,  *エッジ状態 ,  *歪効果 ,  *ナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 歪効果 ,  ロバスト直接バンドギャップ ,  SnS_2ナノリボン ,  DFT

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (9件)： ナノリボン ,  歪効果 ,  端状態 ,  ジグザグ ,  エッジ ,  高感度 ,  間接 ,  ロバスト ,  直接バンドギャップ