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J-GLOBAL ID：201702285025988136   整理番号：17A1703659

電子供与性種の空間的位置の変化による機能性ポリイミドの電気双安定記憶特性を調節する【Powered by NICT】

Regulating the electrical bistable memory characteristics in functional polyimides by varying the spatial position of the electron-donating species

著者 (10件)： Jia Nanfang (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China) ,  Jia Nanfang (Changzhou Institute of Advanced Materials, Beijing University of Chemical Technology, Changzhou 213164, Jiangsu, China) ,  Tian Guofeng (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China) ,  Tian Guofeng (Changzhou Institute of Advanced Materials, Beijing University of Chemical Technology, Changzhou 213164, Jiangsu, China) ,  Qi Shengli (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China) ,  Qi Shengli (Changzhou Institute of Advanced Materials, Beijing University of Chemical Technology, Changzhou 213164, Jiangsu, China) ,  Wang Xiaodong (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China) ,  Wang Xiaodong (Changzhou Institute of Advanced Materials, Beijing University of Chemical Technology, Changzhou 213164, Jiangsu, China) ,  Wu Dezhen (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China) ,  Wu Dezhen (Changzhou Institute of Advanced Materials, Beijing University of Chemical Technology, Changzhou 213164, Jiangsu, China)
資料名： European Polymer Journal  (European Polymer Journal)
巻： 95  ページ： 186-194  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0690A  ISSN： 0014-3057  CODEN： EUPJA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気メモリ応用のための四種類の新規な官能性ポリイミド(PI),DATP6Cz DSDA,DATP2Cz DSDA,DATP6Cz NTDA,DATP2Cz NTDA,二ジアミン,N,N-ビス(4-アミノ)フェニル-6-(9-カルバゾール)-ヘキサミン(DATP6Cz)とN,N-ビス(4-アミノ)フェニル-2-(9-カルバゾール)-エチルアミン(DATP2Cz)の重縮合により合成し,二無水物,ジフェニルスルホン3-3,3′,4,4′-テトラカルボン酸二無水物(DSDA)と1,4,5,8 ナフタレンテトラカルボン酸 二無水物(NTDA)であった。エチルとヘキシルスペーサを意図的にジアミンに挿入されたPIにおける電子ドナーの空間位置を変化させると,記憶挙動に及ぼす効果を明らかにした。実験結果はDATP6Cz DSDAとDATP2Cz DSDAは不揮発性WORMメモリ挙動を示すことを示したが,DATP6Cz NTDAとDATP2Cz NTDAは揮発性SRAMとDRAM挙動を示した。シミュレーション結果は,NTDAにおけるカルボニル基のそれよりもDSDAにおけるスルホン部分のはるかに強い電荷トラッピング効果を示し,DSDAベースPIメモリの不揮発性特徴とNTDAベースPIメモリの揮発性特徴を説明した。一方,NTDAベースPIsで観察された空間位置効果。ヘキシル対エチル,DATP6CzとDATP2Czにおけるカルバゾール基及びジフェニルアミノ群の間で変化した長さのスペーサは,電子供与体の空間位置とPIにおける電荷輸送経路,異なる保持時間と対応するSRAMとDRAM挙動をもたらすを有意に変化させた。本戦略は,将来の情報技術における材料設計への応用が期待される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非揮発性 ,  記憶装置 ,  DRAM ,  揮発性 ,  保持時間 ,  シミュレーション ,  重縮合 ,  スルホン ,  *ポリイミド ,  スペーサ ,  ジアミン ,  *双安定性 ,  SRAM ,  窒素複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物
準シソーラス用語： WORM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 記憶デバイス ,  空間位置 ,  電荷捕獲

分類 (2件)： 重縮合  (CG04050Z) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： カルバゾール

タイトルに関連する用語 (5件)： 機能性 ,  ポリイミド ,  双安定 ,  記憶特性 ,  調節